| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 55481 | 2SC4672 | > de transistors; Puissance Moyenne Transistors(0.5W-1.0W) Bipolaire | ROHM |
| 55482 | 2SC4673 | Amplificateur À faible bruit À FRÉQUENCE ULTRA-haute De Transistor Planaire Épitaxial De Silicium de NPN, Applications À large bande D'Amplificateur | SANYO |
| 55483 | 2SC4675 | Applications Planaires Épitaxiales De Commutation Du Transistor 20V/å De Silicium de NPN | SANYO |
| 55484 | 2SC4678 | APPLICATIONS ÉLEVÉES ÉPITAXIALES DE RENDEMENT DE CHROMA DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT), ÉTAPE VISUELLE DE RENDEMENT DANS L'CAffichage DE HAUTE RÉSOLUTION | TOSHIBA |
| 55485 | 2SC4679 | APPLICATIONS ÉPITAXIALES DE RENDEMENT DE CHROMA DU TYPE HDTV DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR, ÉTAPE VISUELLE DE RENDEMENT DANS L'CAffichage DE HAUTE RÉSOLUTION | TOSHIBA |
| 55486 | 2SC4680 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 55487 | 2SC4680 | Silicium NPN Épitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 55488 | 2SC4681 | Applications Moyennes D'Amplificateur De Puissance De Type Du Silicium NPN De Transistor De Stroboscope D'Applications Épitaxiales D'Instantané | TOSHIBA |
| 55489 | 2SC4682 | APPLICATIONS MOYENNES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) DE STROBOSCOPE D'CApplications ÉPITAXIALES D'CInstantané | TOSHIBA |
| 55490 | 2SC4684 | Applications Moyennes D'Amplificateur De Puissance De Type Du Silicium NPN De Transistor De Stroboscope D'Applications Épitaxiales D'Instantané | TOSHIBA |
| 55491 | 2SC4685 | TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR | TOSHIBA |
| 55492 | 2SC4686 | TYPE PLANAIRE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR. APPLICATIONS DYNAMIQUES DE FOYER DE TV, APPLICATIONS À HAUTE TENSION DE COMMUTATION. APPLICATIONS À HAUTE TENSION D'CAmplificateur. | TOSHIBA |
| 55493 | 2SC4686A | TYPE PLANAIRE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR. APPLICATIONS DYNAMIQUES DE FOYER DE TV, APPLICATIONS À HAUTE TENSION DE COMMUTATION. APPLICATIONS À HAUTE TENSION D'CAmplificateur. | TOSHIBA |
| 55494 | 2SC4688 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR. APPLICATIONS D'CAmplificateur DE PUISSANCE | TOSHIBA |
| 55495 | 2SC4689 | APPLICATIONS DIFFUSES TRIPLES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR | TOSHIBA |
| 55496 | 2SC4690 | APPLICATIONS DIFFUSES TRIPLES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR | TOSHIBA |
| 55497 | 2SC4691 | Dispositif small-signal - transistor small-signal - commutateur à grande vitesse·VCO et haut Freq. | Panasonic |
| 55498 | 2SC4691G | Silicon NPN épitaxiale de type planar | Panasonic |
| 55499 | 2SC4691J | Dispositif small-signal - transistor small-signal - commutateur à grande vitesse·VCO et haut Freq. | Panasonic |
| 55500 | 2SC4692 | TRIPLE DU SILICIUM NPN DIFFUS DIFFUS | Hitachi Semiconductor |
| 55501 | 2SC4692 | TRIPLE DU SILICIUM NPN DIFFUS DIFFUS | Hitachi Semiconductor |
| 55502 | 2SC4693 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 55503 | 2SC4693 | Planaire Épitaxial Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 55504 | 2SC4694 | Amplificateur D'usage universel De basse fréquence De Transistor Planaire Épitaxial De Silicium de NPN, Applications Assourdissantes | SANYO |
| 55505 | 2SC4695 | Amplificateur D'usage universel De basse fréquence De Transistor Planaire Épitaxial De Silicium de NPN, Applications Assourdissantes | SANYO |
| 55506 | 2SC4696 | Applications Planaires Épitaxiales De Conducteur De Transistor De Darlington De Silicium de NPN | SANYO |
| 55507 | 2SC4702 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 55508 | 2SC4702 | Silicium NPN Épitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 55509 | 2SC4702 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 55510 | 2SC4703 | BAS BRUIT DE MICRO-onde, TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE BAS DE DÉFORMATION SILICIUM DE L'CAmplificateur NPN | NEC |
| 55511 | 2SC4705 | Amplificateur d'usage universel de basse fréquence de transistor planaire épitaxial de silicium de NPN, applications (hFE élevé) | SANYO |
| 55512 | 2SC4706 | Régulateur planaire diffus triple et usage universel du silicium NPN Transistor(Switching) | Sanken |
| 55513 | 2SC4707 | AMPLIFICATEUR DE BASSE FRÉQUENCE DE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR, AMPLIFICATEUR D'CÉtape DE CONDUCTEUR ET APPLICATIONS DE COMMUTATION | TOSHIBA |
| 55514 | 2SC4709 | Amplificateur À haute tension Diffus Triple De Transistor Planaire De Silicium de NPN, Applications À haute tension De Commutation | SANYO |
| 55515 | 2SC4710 | Ampère À haute tension, Applications À haute tension De Commutation | SANYO |
| 55516 | 2SC4710LS | NPN Triplent Le Transistor Planaire Diffus De Silicium 2100V/10mA L'Amplificateur À haute tension, Applications À haute tension De Commutation | SANYO |
| 55517 | 2SC4713K | > de transistors; Petit signal Transistors(up bipolaire à 0.6W) | ROHM |
| 55518 | 2SC4715 | Dispositif small-signal - transistor small-signal - Général-employez Amplifires de basse fréquence | Panasonic |
| 55519 | 2SC4719 | TRANSISTORS À 92CL TO-92ls MRT | ROHM |
| 55520 | 2SC4719 | LA PUISSANCE DU PAQUET 1.2W A ATTACHÉ DU RUBAN ADHÉSIFAU TRANSISTOR CONÇU POUR L'USAGE AVEC UN PLACEMENT AUTOMATIQUE MECHINE | ROHM |
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