| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 55841 | 2SC5050 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 55842 | 2SC5051 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 55843 | 2SC5051 | Silicium NPN Épitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 55844 | 2SC5051 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 55845 | 2SC5052 | APPLICATIONS AUDIO ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT), APPLICATIONS D'CAmplificateur D'CÉtape DE CONDUCTEUR | TOSHIBA |
| 55846 | 2SC5053 | > de transistors; Puissance Moyenne Transistors(0.5W-1.0W) Bipolaire | ROHM |
| 55847 | 2SC5058S | 25V, 50mA, le transistor de l'amplificateur haute fréquence 300 MHz | ROHM |
| 55848 | 2SC5060 | > de transistors; Puissance Moyenne Transistors(0.5W-1.0W) Bipolaire | ROHM |
| 55849 | 2SC5061 | TRANSISTORS À 92CL TO-92ls MRT | ROHM |
| 55850 | 2SC5061 | LA PUISSANCE DU PAQUET 1.2W A ATTACHÉ DU RUBAN ADHÉSIFAU TRANSISTOR CONÇU POUR L'USAGE AVEC UN PLACEMENT AUTOMATIQUE MECHINE | ROHM |
| 55851 | 2SC5061 | TRANSISTORS À 92CL TO-92ls MRT | ROHM |
| 55852 | 2SC5061 | LA PUISSANCE DU PAQUET 1.2W A ATTACHÉ DU RUBAN ADHÉSIFAU TRANSISTOR CONÇU POUR L'USAGE AVEC UN PLACEMENT AUTOMATIQUE MECHINE | ROHM |
| 55853 | 2SC5062 | TRANSISTORS À 92CL TO-92ls MRT | ROHM |
| 55854 | 2SC5062 | LA PUISSANCE DU PAQUET 1.2W A ATTACHÉ DU RUBAN ADHÉSIFAU TRANSISTOR CONÇU POUR L'USAGE AVEC UN PLACEMENT AUTOMATIQUE MECHINE | ROHM |
| 55855 | 2SC5062 | TRANSISTORS À 92CL TO-92ls MRT | ROHM |
| 55856 | 2SC5062 | LA PUISSANCE DU PAQUET 1.2W A ATTACHÉ DU RUBAN ADHÉSIFAU TRANSISTOR CONÇU POUR L'USAGE AVEC UN PLACEMENT AUTOMATIQUE MECHINE | ROHM |
| 55857 | 2SC5063 | Commutation élevée élevée de vitesse de tension claque de type(For planaire triple de diffusion du silicium NPN) | Panasonic |
| 55858 | 2SC5064 | Applications D'Amplificateur De Bruit De Bande Planaire Épitaxiale Du Type VHF~uhf Du Silicium NPN De Transistor Basses | TOSHIBA |
| 55859 | 2SC5065 | Applications D'Amplificateur De Bruit De Bande Planaire Épitaxiale Du Type VHF~uhf Du Silicium NPN De Transistor Basses | TOSHIBA |
| 55860 | 2SC5066 | Applications D'Amplificateur De Bruit De Bande Planaire Épitaxiale Du Type VHF~uhf Du Silicium NPN De Transistor Basses | TOSHIBA |
| 55861 | 2SC5066FT | Applications D'Amplificateur De Bruit De Bande Planaire Épitaxiale Du Type VHF~uhf Du Silicium NPN De Transistor Basses | TOSHIBA |
| 55862 | 2SC5069 | Amplificateur D'usage universel De basse fréquence De Transistor Planaire Épitaxial De Silicium de NPN, Applications De Conducteur | SANYO |
| 55863 | 2SC5070 | Transistor Planaire Épitaxial De Silicium de NPN | SANYO |
| 55864 | 2SC5071 | Transistor Du Silicium NPN | Sanken |
| 55865 | 2SC5075 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR. RÉGULATEUR DE COMMUTATION ET APPLICATIONS DE COMMUTATION DE HAUTE TENSION. APPLICATIONS À GRANDE VITESSE du CONVERTISSEUR C.c-C.c | TOSHIBA |
| 55866 | 2SC5076 | TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT). APPLICATIONS COURANTES ÉLEVÉES DE COMMUTATION. | TOSHIBA |
| 55867 | 2SC5077 | Commutation élevée élevée de vitesse de tension claque de type(For planaire triple de diffusion du silicium NPN) | Panasonic |
| 55868 | 2SC5077A | Commutation élevée élevée de vitesse de tension claque de type(For planaire triple de diffusion du silicium NPN) | Panasonic |
| 55869 | 2SC5078 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 55870 | 2SC5078 | Silicium NPN Épitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 55871 | 2SC5079 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 55872 | 2SC5079 | Silicium NPN Épitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 55873 | 2SC5080 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 55874 | 2SC5080 | Silicium NPN Épitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 55875 | 2SC5080 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 55876 | 2SC5081 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 55877 | 2SC5081 | Silicium NPN Épitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 55878 | 2SC5081 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 55879 | 2SC5084 | Applications D'Amplificateur De Bruit De Bande Planaire Épitaxiale Du Type VHF~uhf Du Silicium NPN De Transistor Basses | TOSHIBA |
| 55880 | 2SC5085 | Applications D'Amplificateur De Bruit De Bande Planaire Épitaxiale Du Type VHF~uhf Du Silicium NPN De Transistor Basses | TOSHIBA |
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