| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 56201 | 2SC5374 | VHF planaire épitaxial de transistor de silicium de NPN à l'cOscillateur À FRÉQUENCE ULTRA-haute de bande, applications à haute fréquence d'amplificateurs | SANYO |
| 56202 | 2SC5375 | VHF planaire épitaxial de transistor de silicium de NPN à l'cOscillateur À FRÉQUENCE ULTRA-haute de bande, applications à haute fréquence d'amplificateurs | SANYO |
| 56203 | 2SC5376 | Demandes tout usage épitaxiales d'amplificateur de fréquence sonore de type du silicium NPN de transistor d'applications assourdissantes et de changements | TOSHIBA |
| 56204 | 2SC5376F | Demandes tout usage épitaxiales d'amplificateur de fréquence sonore de type du silicium NPN de transistor d'applications assourdissantes et de changements | TOSHIBA |
| 56205 | 2SC5376FV | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal | TOSHIBA |
| 56206 | 2SC5378 | Oscillation à haute fréquence à faible bruit de basse tension de type(For épitaxial de planer du silicium NPN) | Panasonic |
| 56207 | 2SC5379 | Dispositif small-signal - transistor small-signal - commutateur à grande vitesse·VCO et haut Freq. | Panasonic |
| 56208 | 2SC5380 | Pour le rendement horizontal de débattement | Panasonic |
| 56209 | 2SC5380 | Pour le rendement horizontal de débattement | Panasonic |
| 56210 | 2SC5380A | Pour le rendement horizontal de débattement | Panasonic |
| 56211 | 2SC5380A | Pour le rendement horizontal de débattement | Panasonic |
| 56212 | 2SC5382 | Transistors à grande vitesse à haute tension de commutation/transistors de commutation pour l'éclairage | Shindengen |
| 56213 | 2SC5383 | Transistor NPN SMD 125mW, note maximale: 50V VCEO, 200mA Ic, 150 à 800 hFE. | Isahaya Electronics Corporation |
| 56214 | 2SC5384 | Transistor NPN SMD 125mW, note maximale: 25V VCEO, 30mA Ic, 35-180 hFE. | Isahaya Electronics Corporation |
| 56215 | 2SC5386 | RENDEMENT HORIZONTAL DIFFUS TRIPLE DE DÉBATTEMENT DE TYPE DE MESA DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR POUR L'CAffichage DE HAUTE RÉSOLUTION, APPLICATIONS À GRANDE VITESSE DE COMMUTATION DE LA COULEUR TV | TOSHIBA |
| 56216 | 2SC5387 | RENDEMENT HORIZONTAL DIFFUS TRIPLE DE DÉBATTEMENT DE TYPE DE MESA DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR POUR L'CAffichage DE HAUTE RÉSOLUTION, APPLICATIONS À GRANDE VITESSE DE COMMUTATION DE LA COULEUR TV | TOSHIBA |
| 56217 | 2SC5388 | Applications À haute tension De Commutation | SANYO |
| 56218 | 2SC5390 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 56219 | 2SC5390 | Amplificateur À haute fréquence Épitaxial Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 56220 | 2SC5392 | Pour la commutation à grande vitesse de la tension de claquage élevée | Panasonic |
| 56221 | 2SC5393 | Commutation élevée élevée de vitesse de tension claque de type(For planaire triple de diffusion du silicium NPN) | Panasonic |
| 56222 | 2SC5395 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE TYPE DU SILICIUM NPN | Isahaya Electronics Corporation |
| 56223 | 2SC5395 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE TYPE DU SILICIUM NPN | Isahaya Electronics Corporation |
| 56224 | 2SC5396 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE TYPE DU SILICIUM NPN | Isahaya Electronics Corporation |
| 56225 | 2SC5396 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE TYPE DU SILICIUM NPN | Isahaya Electronics Corporation |
| 56226 | 2SC5397 | Type planaire épitaxial du silicium NPN | Isahaya Electronics Corporation |
| 56227 | 2SC5397 | Type planaire épitaxial du silicium NPN | Isahaya Electronics Corporation |
| 56228 | 2SC5398 | Pour le type épitaxial type de Silicom NPN d'application d'Amplifty de fréquence de Llow de Micro(Frame) | Isahaya Electronics Corporation |
| 56229 | 2SC5398 | Pour le type épitaxial type de Silicom NPN d'application d'Amplifty de fréquence de Llow de Micro(Frame) | Isahaya Electronics Corporation |
| 56230 | 2SC5404 | RENDEMENT HORIZONTAL DIFFUS TRIPLE DE DÉBATTEMENT DE TYPE DE MESA DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR POUR L'CAffichage DE HAUTE RÉSOLUTION, APPLICATIONS À GRANDE VITESSE DE COMMUTATION DE LA COULEUR TV | TOSHIBA |
| 56231 | 2SC5405 | Type planaire de diffusion triple du silicium NPN | Panasonic |
| 56232 | 2SC5406 | Débattement horizontal de diffusion du silicium NPN de type(For triple de MESA produit) | Panasonic |
| 56233 | 2SC5406A | Débattement horizontal de diffusion du silicium NPN de type(For triple de MESA produit) | Panasonic |
| 56234 | 2SC5407 | Débattement horizontal de diffusion du silicium NPN de type(For triple de MESA produit) | Panasonic |
| 56235 | 2SC5408 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN POUR L'CAmplification À gain élevé de MICRO-onde | NEC |
| 56236 | 2SC5408-T1 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN POUR L'CAmplification À gain élevé de MICRO-onde | NEC |
| 56237 | 2SC5409 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN POUR L'CAmplification À gain élevé de MICRO-onde | NEC |
| 56238 | 2SC5409-T1 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN POUR L'CAmplification À gain élevé de MICRO-onde | NEC |
| 56239 | 2SC5410 | Pour la sortie de déviation horizontale | Panasonic |
| 56240 | 2SC5410A | Pour la sortie de déviation horizontale | Panasonic |
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