| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 56281 | 2SC5450 | Transistors Horizontaux De Commutation De Débattement | SANYO |
| 56282 | 2SC5451 | Transistors Horizontaux De Commutation De Débattement | SANYO |
| 56283 | 2SC5452 | Transistors Horizontaux De Commutation De Débattement | SANYO |
| 56284 | 2SC5453 | Transistors Horizontaux De Commutation De Débattement | SANYO |
| 56285 | 2SC5454 | MOULE DE SILICIUM DE NPN MINI DE 4-GOUPILLES ÉPITAXIALES DE TRANSISTOR | NEC |
| 56286 | 2SC5455 | MOULE DE SILICIUM DE NPN MINI DE 4-GOUPILLES ÉPITAXIALES DE TRANSISTOR | NEC |
| 56287 | 2SC5457 | Commutation élevée élevée de vitesse de tension claque de type(For planaire triple de diffusion du silicium NPN) | Panasonic |
| 56288 | 2SC5458 | Le silicium NPN de transistor triplent le régulateur de commutation diffus de type et la commutation de haute tension, C.c-C.c le convertisseur, applications de l'inverseur C.c-C.a. | TOSHIBA |
| 56289 | 2SC5459 | Le silicium NPN de transistor triplent le régulateur de commutation diffus de type et la commutation de haute tension, C.c-C.c le convertisseur, applications du convertisseur C.c-C.a. | TOSHIBA |
| 56290 | 2SC5460 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR. APPLICATIONS DYNAMIQUES DE FOYER. APPLICATIONS À HAUTE TENSION DE COMMUTATION. APPLICATIONS À HAUTE TENSION D'CAmplificateur. | TOSHIBA |
| 56291 | 2SC5463 | Applications D'Amplificateur De Bruit De Bande Planaire Épitaxiale Du Type VHF~uhf Du Silicium NPN De Transistor Basses | TOSHIBA |
| 56292 | 2SC5464 | Applications D'Amplificateur De Bruit De Bande Planaire Épitaxiale Du Type VHF~uhf Du Silicium NPN De Transistor Basses | TOSHIBA |
| 56293 | 2SC5464FT | APPLICATIONS D'CAmplificateur DE BRUIT DE BANDE PLANAIRE ÉPITAXIALE DU TYPE VHF~uhf DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR BASSES | TOSHIBA |
| 56294 | 2SC5465 | Le silicium NPN de transistor triplent le régulateur de commutation diffus de type et les applications à grande vitesse du convertisseur C.c-C.c d'applications de commutation de haute tension | TOSHIBA |
| 56295 | 2SC5466 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR. FOYER DYNAMIQUE, COMMUTATION À HAUTE TENSION ET APPLICATIONS D'CAmplificateur DE HAUTE TENSION. | TOSHIBA |
| 56296 | 2SC5468 | ÉTAPE VISUELLE DE RENDEMENT DE TYPE DU SILICIUM NPN EPITAXILA DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) DANS L'CAffichage DE HAUTE RÉSOLUTION | TOSHIBA |
| 56297 | 2SC5470 | RENDEMENT HORIZONTAL DIFFUS TRIPLE DE DÉBATTEMENT D'AFFICHAGE DE CARACTÈRE DU SILICIUM NPN | Hitachi Semiconductor |
| 56298 | 2SC5470 | RENDEMENT HORIZONTAL DIFFUS TRIPLE DE DÉBATTEMENT D'AFFICHAGE DE CARACTÈRE DU SILICIUM NPN | Hitachi Semiconductor |
| 56299 | 2SC5472 | Oscillation à haute fréquence à faible bruit de basse tension de type(For épitaxial de planer du silicium NPN) | Panasonic |
| 56300 | 2SC5473 | Oscillation à haute fréquence à faible bruit de basse tension de type(For épitaxial de planer du silicium NPN) | Panasonic |
| 56301 | 2SC5474 | Oscillation à haute fréquence à faible bruit de basse tension de type(For épitaxial de planer du silicium NPN) | Panasonic |
| 56302 | 2SC5476 | Transistors De Darlington | SANYO |
| 56303 | 2SC5477 | 150mW SMD transistor NPN, note maximale: 20V VCEO, 50mA Ic, 50 à (typ) 148 hFE. Amplification haute fréquence | Isahaya Electronics Corporation |
| 56304 | 2SC5478 | Débattement horizontal de diffusion du silicium NPN de type(For triple de MESA produit) | Panasonic |
| 56305 | 2SC5480 | Rendement Diffus Triple De Débattement Du Silicium NPNHorizntal | Hitachi Semiconductor |
| 56306 | 2SC5480 | Rendement Diffus Triple De Débattement Du Silicium NPNHorizntal | Hitachi Semiconductor |
| 56307 | 2SC5482 | POUR LA PUISSANCE DE BASSE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPEÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN D'APPRICATION MICRO | Isahaya Electronics Corporation |
| 56308 | 2SC5482 | POUR LA PUISSANCE DE BASSE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPEÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN D'APPRICATION MICRO | Isahaya Electronics Corporation |
| 56309 | 2SC5484 | TRANSISTOR DU SILICIUM NPN | Isahaya Electronics Corporation |
| 56310 | 2SC5484 | TRANSISTOR DU SILICIUM NPN | Isahaya Electronics Corporation |
| 56311 | 2SC5485 | POUR LE TYPE ÉPITAXIAL COURANT ÉLEVÉ DU SILICIUM NPND'APPLICATION MICRO | Isahaya Electronics Corporation |
| 56312 | 2SC5485 | POUR LE TYPE ÉPITAXIAL COURANT ÉLEVÉ DU SILICIUM NPND'APPLICATION MICRO | Isahaya Electronics Corporation |
| 56313 | 2SC5486 | 600mW plomb transistor NPN cadre, note maximale: 10V VCEO, 5A Ic, 230-600 hFE. | Isahaya Electronics Corporation |
| 56314 | 2SC5488 | VHF planaire épitaxial de transistor de silicium de NPN aux applications à large bande à faible bruit À FRÉQUENCE ULTRA-haute d'amplificateur | SANYO |
| 56315 | 2SC5488A | RF Transistor, 10V, 70mA, Ft = 7GHz, NPN simple SSFP | ON Semiconductor |
| 56316 | 2SC5489 | VHF planaire épitaxial de transistor de silicium de NPN aux applications à large bande à faible bruit À FRÉQUENCE ULTRA-haute d'amplificateur | SANYO |
| 56317 | 2SC5490 | Fréquence ultra-haute planaire épitaxiale de transistor de silicium de NPN aux applications à faible bruit d'amplificateur de bande de S | SANYO |
| 56318 | 2SC5497 | Nouveaux Produits de Rf | TOSHIBA |
| 56319 | 2SC5501 | VHF planaire épitaxial de transistor de silicium de NPN aux applications à large bande à faible bruit À FRÉQUENCE ULTRA-haute d'amplificateur | SANYO |
| 56320 | 2SC5502 | Applications À faible bruit À haute fréquence D'Amplificateur De Transistor Planaire Épitaxial De Silicium de NPN | SANYO |
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