| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 56681 | 2SC6140 | Transistor de puissance pour des applications de commutation à grande vitesse | TOSHIBA |
| 56682 | 2SC6142 | Transistor de puissance pour des applications de commutation à grande vitesse | TOSHIBA |
| 56683 | 2SC633SP | 2SC634SP | SONY |
| 56684 | 2SC633SP | 2SC634SP | SONY |
| 56685 | 2SC634SP | 2SC634SP | SONY |
| 56686 | 2SC634SP | 2SC634SP | SONY |
| 56687 | 2SC641 | PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM | Hitachi Semiconductor |
| 56688 | 2SC641 | PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM | Hitachi Semiconductor |
| 56689 | 2SC641K | PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM | Hitachi Semiconductor |
| 56690 | 2SC641K | PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM | Hitachi Semiconductor |
| 56691 | 2SC6465 | TYPE DIFFUS TRIPLE de NPN (RÉGULATEUR de COMMUTATION ET COMMUTATION de HAUTE TENSION/APPLICATIONS À GRANDE VITESSE de CONVERTISSEUR C.c-C.c) | TOSHIBA |
| 56692 | 2SC668SP | 2SC668SP | SANYO |
| 56693 | 2SC668SP | 2SC668SP | SANYO |
| 56694 | 2SC681 | PUISSANCE TRANSISTOR(ã, 50w) | MOSPEC Semiconductor |
| 56695 | 2SC681ARD | PUISSANCE TRANSISTOR(ã, 50w) | MOSPEC Semiconductor |
| 56696 | 2SC681AYL | PUISSANCE TRANSISTOR(ã, 50w) | MOSPEC Semiconductor |
| 56697 | 2SC697 | Planaire Épitaxial Du Silicium NPN | TOSHIBA |
| 56698 | 2SC697 | Planaire Épitaxial Du Silicium NPN | TOSHIBA |
| 56699 | 2SC697A | Planaire Épitaxial Du Silicium NPN | TOSHIBA |
| 56700 | 2SC697A | Planaire Épitaxial Du Silicium NPN | TOSHIBA |
| 56701 | 2SC7008 | PAQUET ATTACHÉ DU RUBAN ADHÉSIF DE TRANSISTOR DE PUISSANCE POUR L'USAGE AVEC UNE MACHINE DE PLACEMENT AUTOMATIQUE | ROHM |
| 56702 | 2SC7008 | PAQUET ATTACHÉ DU RUBAN ADHÉSIF DE TRANSISTOR DE PUISSANCE POUR L'USAGE AVEC UNE MACHINE DE PLACEMENT AUTOMATIQUE | ROHM |
| 56703 | 2SC717 | AMPLIFICATEUR DE VHF RF, MÉLANGEUR, OSCILLATEUR | Unknow |
| 56704 | 2SC717 | AMPLIFICATEUR DE VHF RF, MÉLANGEUR, OSCILLATEUR | Unknow |
| 56705 | 2SC730 | TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DU TRANSISTOR DE PUISSANCE DE RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 56706 | 2SC732TM | TYPE ÉPITAXIAL DE NPN (APPLICATIONS AUDIO D'CAmplificateur DE BAS BRUIT) | TOSHIBA |
| 56707 | 2SC741 | TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DU TRANSISTOR DE PUISSANCE DE RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 56708 | 2SC752 | PROCESSUS ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN TYPE(pct DE TRANSISTOR DE TOSHIBA) | TOSHIBA |
| 56709 | 2SC752(G)TM | Ordinateur ultra à grande vitesse épitaxial d'applications de commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT), contre- applications | TOSHIBA |
| 56710 | 2SC752GTM | Ordinateur Ultra À grande vitesse D'Applications De Commutation, Contre- Applications | TOSHIBA |
| 56711 | 2SC752GTM | Ordinateur Ultra À grande vitesse D'Applications De Commutation, Contre- Applications | TOSHIBA |
| 56712 | 2SC752TM | Ordinateur Ultra À grande vitesse D'Applications De Commutation, Contre- Applications | TOSHIBA |
| 56713 | 2SC752TM | Ordinateur Ultra À grande vitesse D'Applications De Commutation, Contre- Applications | TOSHIBA |
| 56714 | 2SC756A | TRANSISTORS de SPÉCIFICATIONS, diodes | Unknow |
| 56715 | 2SC756A | TRANSISTORS de SPÉCIFICATIONS, diodes | Unknow |
| 56716 | 2SC781 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN | Unknow |
| 56717 | 2SC781 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN | Unknow |
| 56718 | 2SC790 | 2SC790 | TOSHIBA |
| 56719 | 2SC790 | 2SC790 | TOSHIBA |
| 56720 | 2SC799 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN | Unknow |
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