| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 567681 | IRF330-333 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/5.Ä/350 V/400v | Fairchild Semiconductor |
| 567682 | IRF3305 | 55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567683 | IRF331 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/5.Ä/350 V/400v | Fairchild Semiconductor |
| 567684 | IRF331 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567685 | IRF331 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 350V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 5.5A. | General Electric Solid State |
| 567686 | IRF331 | 4.5A et 5.5A, 350V et 400V, 1,0 et 1,5 Ohm à canal N MOSFET de puissance | Intersil |
| 567687 | IRF3315 | 150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567688 | IRF3315L | 150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 567689 | IRF3315PBF | 150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567690 | IRF3315S | 150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567691 | IRF3315STRL | 150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567692 | IRF3315STRR | 150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567693 | IRF332 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/5.Ä/350 V/400v | Fairchild Semiconductor |
| 567694 | IRF332 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567695 | IRF332 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 400V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 4.5A. | General Electric Solid State |
| 567696 | IRF332 | 4.5A et 5.5A, 350V et 400V, 1,0 et 1,5 Ohm à canal N MOSFET de puissance | Intersil |
| 567697 | IRF333 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/5.Ä/350 V/400v | Fairchild Semiconductor |
| 567698 | IRF333 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567699 | IRF333 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 350V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 4.5A. | General Electric Solid State |
| 567700 | IRF333 | 4.5A et 5.5A, 350V et 400V, 1,0 et 1,5 Ohm à canal N MOSFET de puissance | Intersil |
| 567701 | IRF340 | 400V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20âa | International Rectifier |
| 567702 | IRF340 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/10A/350V/400v | Fairchild Semiconductor |
| 567703 | IRF340 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567704 | IRF340 | 10A et 8.3A, 400V et 350V, 0,55 et 0,80 Ohm à canal N MOSFET de puissance | Intersil |
| 567705 | IRF340-343 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/10A/350V/400v | Fairchild Semiconductor |
| 567706 | IRF341 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/10A/350V/400v | Fairchild Semiconductor |
| 567707 | IRF341 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567708 | IRF3415 | 150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567709 | IRF3415L | 150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 567710 | IRF3415LPBF | 150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 567711 | IRF3415PBF | 150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567712 | IRF3415S | 150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567713 | IRF3415SPBF | 150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567714 | IRF3415STRL | 150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567715 | IRF3415STRR | 150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567716 | IRF341IRF342 | 10A et 8.3A, 400V et 350V, 0,55 et 0,80 Ohm à canal N MOSFET de puissance | Intersil |
| 567717 | IRF342 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/10A/350V/400v | Fairchild Semiconductor |
| 567718 | IRF342 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567719 | IRF343 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/10A/350V/400v | Fairchild Semiconductor |
| 567720 | IRF343 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
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