| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 567721 | IRF343 | 10A et 8.3A, 400V et 350V, 0,55 et 0,80 Ohm à canal N MOSFET de puissance | Intersil |
| 567722 | IRF350 | 400V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20âe | International Rectifier |
| 567723 | IRF350 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1Ä/350V/400v | Fairchild Semiconductor |
| 567724 | IRF350 | Transistor MOSFET De Puissance Du 1Ä/400V/0,300 Ohms/N-Canal | Intersil |
| 567725 | IRF350 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567726 | IRF350 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 400V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 15A. | General Electric Solid State |
| 567727 | IRF350-353 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1Ä/350V/400v | Fairchild Semiconductor |
| 567728 | IRF351 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1Ä/350V/400v | Fairchild Semiconductor |
| 567729 | IRF351 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567730 | IRF351 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 350V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 15A. | General Electric Solid State |
| 567731 | IRF351 | 13.0A et 15.0A, 350 et 400V, 0,300 et 0,400 ohm, Avalanche nominale *, N-Channel MOSFET de puissance FN1826.2 | Intersil |
| 567732 | IRF3515L | 150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 567733 | IRF3515LPBF | 150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 567734 | IRF3515S | 150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567735 | IRF3515SPBF | 150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567736 | IRF3515STRL | 150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567737 | IRF3515STRR | 150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567738 | IRF352 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1Ä/350V/400v | Fairchild Semiconductor |
| 567739 | IRF352 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567740 | IRF352 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 400V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 13A. | General Electric Solid State |
| 567741 | IRF352 | 13.0A et 15.0A, 350 et 400V, 0,300 et 0,400 ohm, Avalanche nominale *, N-Channel MOSFET de puissance FN1826.2 | Intersil |
| 567742 | IRF353 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1Ä/350V/400v | Fairchild Semiconductor |
| 567743 | IRF353 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567744 | IRF353 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 350V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 13A. | General Electric Solid State |
| 567745 | IRF353 | 13.0A et 15.0A, 350 et 400V, 0,300 et 0,400 ohm, Avalanche nominale *, N-Channel MOSFET de puissance FN1826.2 | Intersil |
| 567746 | IRF36 | Inducteurs | Vishay |
| 567747 | IRF36 | Inducteurs | Vishay |
| 567748 | IRF360 | 400V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20âe | International Rectifier |
| 567749 | IRF3703 | 30V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567750 | IRF3703PBF | 30V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567751 | IRF3704 | 20V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567752 | IRF3704L | 20V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 567753 | IRF3704PBF | 20V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567754 | IRF3704S | 20V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567755 | IRF3704STRL | 20V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567756 | IRF3704STRR | 20V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567757 | IRF3704Z | 20V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567758 | IRF3704ZCL | 20V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 567759 | IRF3704ZCLPBF | 20V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 567760 | IRF3704ZCS | 20V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
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