| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 567881 | IRF440 | 500V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20âa | International Rectifier |
| 567882 | IRF440 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/Å/450 V/500v | Fairchild Semiconductor |
| 567883 | IRF440 | Transistor MOSFET De Puissance De Å/500V/0,850 Ohms/N-Canal | Intersil |
| 567884 | IRF440 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567885 | IRF440-443 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/Å/450 V/500v | Fairchild Semiconductor |
| 567886 | IRF441 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/Å/450 V/500v | Fairchild Semiconductor |
| 567887 | IRF441 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567888 | IRF441 | 7A et 8A, 450V et 500V, 0,85 et 1,1 Ohm à canal N MOSFET de puissance | Intersil |
| 567889 | IRF442 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/Å/450 V/500v | Fairchild Semiconductor |
| 567890 | IRF442 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567891 | IRF442 | 7A et 8A, 450V et 500V, 0,85 et 1,1 Ohm à canal N MOSFET de puissance | Intersil |
| 567892 | IRF443 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/Å/450 V/500v | Fairchild Semiconductor |
| 567893 | IRF443 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567894 | IRF443 | 7A et 8A, 450V et 500V, 0,85 et 1,1 Ohm à canal N MOSFET de puissance | Intersil |
| 567895 | IRF450 | Transistor MOSFET De la Manche De N | Microsemi |
| 567896 | IRF450 | 500V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20âa | International Rectifier |
| 567897 | IRF450 | Transistor MOSFET de PUISSANCE De N-canal | SemeLAB |
| 567898 | IRF450 | Transistor MOSFET De Puissance Du 1Á/500V/0,400 Ohms/N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 567899 | IRF450 | Transistor MOSFET De Puissance Du 1Á/500V/0,400 Ohms/N-Canal | Intersil |
| 567900 | IRF450 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567901 | IRF450 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 500V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 13A. | General Electric Solid State |
| 567902 | IRF451 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567903 | IRF451 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 450V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 13A. | General Electric Solid State |
| 567904 | IRF451 | 11A et 13A, 450V et 500V, 0,4 et 0,5 Ohm à canal N MOSFET de puissance | Intersil |
| 567905 | IRF452 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567906 | IRF452 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 500V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 12A. | General Electric Solid State |
| 567907 | IRF452 | 11A et 13A, 450V et 500V, 0,4 et 0,5 Ohm à canal N MOSFET de puissance | Intersil |
| 567908 | IRF453 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567909 | IRF453 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 450V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 12A. | General Electric Solid State |
| 567910 | IRF453 | 11A et 13A, 450V et 500V, 0,4 et 0,5 Ohm à canal N MOSFET de puissance | Intersil |
| 567911 | IRF460 | 500V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20âe | International Rectifier |
| 567912 | IRF460 | TRANSISTORS MOSFET À HAUTE TENSION de PUISSANCE de MODE de PERFECTIONNEMENT De N-canal | SemeLAB |
| 567913 | IRF4905 | -55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567914 | IRF4905L | -55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 567915 | IRF4905PBF | -55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567916 | IRF4905S | -55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567917 | IRF4905STRL | -55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567918 | IRF4905STRL-111 | -55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567919 | IRF4905STRR | -55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567920 | IRF500 | 50W à l'ALUMINIUM FORMÉ PLAT de RÉSISTANCES de BLESSURE de FIL de la PUISSANCE 500W ÉLEVÉE LOGÉ | etc |
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