| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 567921 | IRF500 | 50W à l'ALUMINIUM FORMÉ PLAT de RÉSISTANCES de BLESSURE de FIL de la PUISSANCE 500W ÉLEVÉE LOGÉ | etc |
| 567922 | IRF500C10RJ | 50W à l'ALUMINIUM FORMÉ PLAT de RÉSISTANCES de BLESSURE de FIL de la PUISSANCE 500W ÉLEVÉE LOGÉ | etc |
| 567923 | IRF500C10RJ | 50W à l'ALUMINIUM FORMÉ PLAT de RÉSISTANCES de BLESSURE de FIL de la PUISSANCE 500W ÉLEVÉE LOGÉ | etc |
| 567924 | IRF510 | 5.Ã, 100V, 0,540 Ohms, Transistor MOSFET De Puissance De N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 567925 | IRF510 | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567926 | IRF510 | FETS Verticaux De Puissance Du Perfectionnement-Mode DMOS De N-Canal | Supertex Inc |
| 567927 | IRF510 | Transistor MOSFET De Puissance De 5.Ã/100V/0,540 Ohms/N-Canal | Intersil |
| 567928 | IRF510 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 567929 | IRF510 | Puissance MOSFET canal N, 100V, 5.6A | Harris Semiconductor |
| 567930 | IRF510-513 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/5,5/60-100V | Fairchild Semiconductor |
| 567931 | IRF510A | Transistor MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Fairchild Semiconductor |
| 567932 | IRF510S | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567933 | IRF510STRL | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567934 | IRF510STRR | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567935 | IRF511 | FETS Verticaux De Puissance Du Perfectionnement-Mode DMOS De N-Canal | Supertex Inc |
| 567936 | IRF511 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/5,5/60-100V | Fairchild Semiconductor |
| 567937 | IRF511 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 567938 | IRF511 | Puissance MOSFET canal N, 80V, 5.6A | Harris Semiconductor |
| 567939 | IRF512 | FETS Verticaux De Puissance Du Perfectionnement-Mode DMOS De N-Canal | Supertex Inc |
| 567940 | IRF512 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/5,5/60-100V | Fairchild Semiconductor |
| 567941 | IRF512 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 3.5A. | General Electric Solid State |
| 567942 | IRF512 | Puissance MOSFET canal N, 100V, 4.9A | Harris Semiconductor |
| 567943 | IRF513 | FETS Verticaux De Puissance Du Perfectionnement-Mode DMOS De N-Canal | Supertex Inc |
| 567944 | IRF513 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/5,5/60-100V | Fairchild Semiconductor |
| 567945 | IRF513 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 3.5A. | General Electric Solid State |
| 567946 | IRF513 | Puissance MOSFET canal N, 80V, 4.9A | Harris Semiconductor |
| 567947 | IRF520 | 9.À, 100V, 0,270 Ohms, Dispositifs de Transistor MOSFET De Puissance De N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 567948 | IRF520 | N-canal 100V - 0,115 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET II de PORTE De 10A To-220 | ST Microelectronics |
| 567949 | IRF520 | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567950 | IRF520 | N - TRANSISTORS De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 567951 | IRF520 | TRANSISTORS de MOS de PUISSANCE de MODE de PERFECTIONNEMENT De N-canal | SGS Thomson Microelectronics |
| 567952 | IRF520 | N - FETS VERTICAUX de PUISSANCE du MODE DMOS de PERFECTIONNEMENT de la MANCHE | Supertex Inc |
| 567953 | IRF520 | Transistor MOSFET De Puissance De 9.À/100V/0,270 Ohms/N-Canal | Intersil |
| 567954 | IRF520A | Transistor MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Fairchild Semiconductor |
| 567955 | IRF520FI | TRANSISTORS de MOS de PUISSANCE de MODE de PERFECTIONNEMENT De N-canal | SGS Thomson Microelectronics |
| 567956 | IRF520FI | N - TRANSISTORS De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 567957 | IRF520FI | N - TRANSISTORS De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | ST Microelectronics |
| 567958 | IRF520L | Puissance MOSFET(Vdss=100V/Rds(on)=0.20ohm/Id=9.7A) | International Rectifier |
| 567959 | IRF520N | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567960 | IRF520NL | HEXFET MOSFET de puissance. Vdss = 100V, RDS (on) = 0,20 Ohm, ID = 9.7A | International Rectifier |
| | | |
