Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
568161 | IRF614B | Transistor MOSFET Du N-Canal 250V | Fairchild Semiconductor |
568162 | IRF614B_FP001 | B-FET du N-Canal 250V/produit de remplacement du & IRF614; IRF61Â | Fairchild Semiconductor |
568163 | IRF614PBF | 250V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
568164 | IRF614S | 250V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
568165 | IRF6150 | -20V conjuguent transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet de 16-Lead FlipFET | International Rectifier |
568166 | IRF6156 | 20V conjuguent transistor MOSFET N-Bidirectionnel de puissance de HEXFET dans un 6-Lead FlipFET | International Rectifier |
568167 | IRF620 | 5.0A, 200V, 0,800 Ohms, Transistor MOSFET De Puissance De N-Canal | Fairchild Semiconductor |
568168 | IRF620 | VIEUX PRODUCT:not APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
568169 | IRF620 | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
568170 | IRF620 | N - TRANSISTORS De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
568171 | IRF620 | TRANSISTORS de MOS de PUISSANCE de MODE de PERFECTIONNEMENT De N-canal | SGS Thomson Microelectronics |
568172 | IRF620 | Transistor MOSFET De Puissance De 5.0A/200V/0,800 Ohms/N-Canal | Intersil |
568173 | IRF620 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 200V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 5.0A. | General Electric Solid State |
568174 | IRF620B | Transistor MOSFET Du N-Canal 200V | Fairchild Semiconductor |
568175 | IRF620B_FP001 | B-FET du N-Canal 200V/produit de remplacement du & IRF620; IRF620A | Fairchild Semiconductor |
568176 | IRF620FI | VIEUX PRODUCT:not APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
568177 | IRF620FI | TRANSISTORS de MOS de PUISSANCE de MODE de PERFECTIONNEMENT De N-canal | SGS Thomson Microelectronics |
568178 | IRF620FI | N - TRANSISTORS De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
568179 | IRF620PBF | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
568180 | IRF620S | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
568181 | IRF620STRL | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
568182 | IRF620STRR | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
568183 | IRF621 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/7A/150-200V | Fairchild Semiconductor |
568184 | IRF621 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 5.0A. | General Electric Solid State |
568185 | IRF6215 | -150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
568186 | IRF6215L | -150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
568187 | IRF6215PBF | -150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
568188 | IRF6215S | -150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
568189 | IRF6215STRL | -150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
568190 | IRF6215STRR | -150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
568191 | IRF6216 | -150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet So-8 | International Rectifier |
568192 | IRF6216TR | -150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet So-8 | International Rectifier |
568193 | IRF6217 | -150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet So-8 | International Rectifier |
568194 | IRF6217TR | -150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet So-8 | International Rectifier |
568195 | IRF6218 | -150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
568196 | IRF6218L | -150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
568197 | IRF6218S | -150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet de D2Pak | International Rectifier |
568198 | IRF622 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/7A/150-200V | Fairchild Semiconductor |
568199 | IRF622 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 200V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
568200 | IRF623 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/7A/150-200V | Fairchild Semiconductor |
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