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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
568161IRF614BTransistor MOSFET Du N-Canal 250VFairchild Semiconductor
568162IRF614B_FP001B-FET du N-Canal 250V/produit de remplacement du & IRF614; IRF61ÂFairchild Semiconductor
568163IRF614PBF250V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220abInternational Rectifier
568164IRF614S250V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-PakInternational Rectifier
568165IRF6150-20V conjuguent transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet de 16-Lead FlipFETInternational Rectifier
568166IRF615620V conjuguent transistor MOSFET N-Bidirectionnel de puissance de HEXFET dans un 6-Lead FlipFETInternational Rectifier
568167IRF6205.0A, 200V, 0,800 Ohms, Transistor MOSFET De Puissance De N-CanalFairchild Semiconductor
568168IRF620VIEUX PRODUCT:not APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansST Microelectronics
568169IRF620200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220abInternational Rectifier
568170IRF620N - TRANSISTORS De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHESGS Thomson Microelectronics
568171IRF620TRANSISTORS de MOS de PUISSANCE de MODE de PERFECTIONNEMENT De N-canalSGS Thomson Microelectronics
568172IRF620Transistor MOSFET De Puissance De 5.0A/200V/0,800 Ohms/N-CanalIntersil
568173IRF620N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 200V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 5.0A.General Electric Solid State
568174IRF620BTransistor MOSFET Du N-Canal 200VFairchild Semiconductor
568175IRF620B_FP001B-FET du N-Canal 200V/produit de remplacement du & IRF620; IRF620AFairchild Semiconductor
568176IRF620FIVIEUX PRODUCT:not APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansST Microelectronics
568177IRF620FITRANSISTORS de MOS de PUISSANCE de MODE de PERFECTIONNEMENT De N-canalSGS Thomson Microelectronics
568178IRF620FIN - TRANSISTORS De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHESGS Thomson Microelectronics
568179IRF620PBF200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220abInternational Rectifier



568180IRF620S200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-PakInternational Rectifier
568181IRF620STRL200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-PakInternational Rectifier
568182IRF620STRR200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-PakInternational Rectifier
568183IRF621Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/7A/150-200VFairchild Semiconductor
568184IRF621N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 5.0A.General Electric Solid State
568185IRF6215-150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet de To-220abInternational Rectifier
568186IRF6215L-150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet To-262International Rectifier
568187IRF6215PBF-150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet de To-220abInternational Rectifier
568188IRF6215S-150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet de D2-PakInternational Rectifier
568189IRF6215STRL-150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet de D2-PakInternational Rectifier
568190IRF6215STRR-150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet de D2-PakInternational Rectifier
568191IRF6216-150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet So-8International Rectifier
568192IRF6216TR-150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet So-8International Rectifier
568193IRF6217-150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet So-8International Rectifier
568194IRF6217TR-150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet So-8International Rectifier
568195IRF6218-150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet de To-220abInternational Rectifier
568196IRF6218L-150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet To-262International Rectifier
568197IRF6218S-150V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet de D2PakInternational Rectifier
568198IRF622Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/7A/150-200VFairchild Semiconductor
568199IRF622N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 200V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 4.0A.General Electric Solid State
568200IRF623Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/7A/150-200VFairchild Semiconductor
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