| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 568241 | IRF630SPBF | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568242 | IRF630ST4 | N-canal 200V - 0,35 OHMS - 9A - Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE De To-220/to220-fp | ST Microelectronics |
| 568243 | IRF630STRL | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568244 | IRF630STRR | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568245 | IRF631 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1À/150-200 V | Fairchild Semiconductor |
| 568246 | IRF631 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 9,0 A. | General Electric Solid State |
| 568247 | IRF632 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1À/150-200 V | Fairchild Semiconductor |
| 568248 | IRF632 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 200V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 8.0A. | General Electric Solid State |
| 568249 | IRF633 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1À/150-200 V | Fairchild Semiconductor |
| 568250 | IRF633 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 8.0A. | General Electric Solid State |
| 568251 | IRF634 | Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE de l'cOhm Å To-220/to-220fp Du N-canal 250V 0,38 | ST Microelectronics |
| 568252 | IRF634 | 250V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 568253 | IRF634 | Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE de l'cOhm Å To-220/to-220fp Du N-canal 250V 0,38 | SGS Thomson Microelectronics |
| 568254 | IRF634 | Transistor MOSFET Avançé De Puissance | Fairchild Semiconductor |
| 568255 | IRF634A | Transistor MOSFET Avançé De Puissance | Fairchild Semiconductor |
| 568256 | IRF634B | Transistor MOSFET Du N-Canal 250V | Fairchild Semiconductor |
| 568257 | IRF634B_FP001 | B-FET du N-Canal 250V/produit de remplacement du & IRF634; IRF63Â | Fairchild Semiconductor |
| 568258 | IRF634FP | Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE de l'cOhm Å To-220/to-220fp Du N-canal 250V 0,38 | ST Microelectronics |
| 568259 | IRF634FP | Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE de l'cOhm Å To-220/to-220fp Du N-canal 250V 0,38 | SGS Thomson Microelectronics |
| 568260 | IRF634N | 250V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 568261 | IRF634NL | 250V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 568262 | IRF634NS | 250V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568263 | IRF634PBF | 250V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 568264 | IRF634S | 250V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568265 | IRF634STRL | 250V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568266 | IRF634STRR | 250V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568267 | IRF640 | transistor de TrenchMOS(tm) de N-canal | Philips |
| 568268 | IRF640 | 1Å, 200V, 0,180 Ohms, Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 568269 | IRF640 | N-canal 200V - 0,150 OHMS - Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE De 1Å To-220/to-220fp | ST Microelectronics |
| 568270 | IRF640 | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 568271 | IRF640 | N - la MANCHE 200V - 0.150Ohm - Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE De 1Å To-220/to-220fp | SGS Thomson Microelectronics |
| 568272 | IRF640 | N-canal 200V - 0,150 OHMS - Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE De 1Å To-220/to-220fp | SGS Thomson Microelectronics |
| 568273 | IRF640 | OBSOLETE - Puissance Field Effect Transistor | ON Semiconductor |
| 568274 | IRF640 | 18A, 200V, 0,180 Ohm à canal N MOSFET de puissance | Intersil |
| 568275 | IRF640-D | Porte De Silicium De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor àeffet de champ De Puissance | ON Semiconductor |
| 568276 | IRF640A | Transistor MOSFET Avançé De Puissance | Fairchild Semiconductor |
| 568277 | IRF640B | Transistor MOSFET Du N-Canal 200V | Fairchild Semiconductor |
| 568278 | IRF640BTSTU_FP001 | B-FET du N-Canal 200V/produit de remplacement du & IRF640; IRF640A | Fairchild Semiconductor |
| 568279 | IRF640B_FP001 | B-FET du N-Canal 200V/produit de remplacement du & IRF640; IRF640A | Fairchild Semiconductor |
| 568280 | IRF640FP | N-canal 200V - 0,150 OHMS - Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE De 1Å To-220/to-220fp | ST Microelectronics |
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