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Nr.	Nom de partie	Description	Fabricant
598761	K4D553238F-JC2A	256CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
598762	K4D553238F-JC33	256CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
598763	K4D553238F-JC36	256CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
598764	K4D553238F-JC40	256CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
598765	K4D553238F-JC50	256CMbit GDDR SDRAM	Samsung Electronic
598766	K4D623237	512K x 32Bit X 4 banques doublent la fiche technique synchrone de DRACHME de débit	Samsung Electronic
598767	K4D623238B-G(Q)C	512K x 32Bit X 4 banques doublent des données prolongées par wi synchrone de RAM de débit hors de fiche technique	Samsung Electronic
598768	K4D623238B-GC	64CMbit DDR SDRAM	Samsung Electronic
598769	K4D623238B-GC/L33	64CMbit DDR SDRAM	Samsung Electronic
598770	K4D623238B-GC/L40	64CMbit DDR SDRAM	Samsung Electronic
598771	K4D623238B-GC/L45	64CMbit DDR SDRAM	Samsung Electronic
598772	K4D623238B-GC/L50	64CMbit DDR SDRAM	Samsung Electronic
598773	K4D623238B-GC/L55	64CMbit DDR SDRAM	Samsung Electronic
598774	K4D623238B-GC/L60	64CMbit DDR SDRAM	Samsung Electronic
598775	K4D64163HF	le 1M X 16Bit X 4 banques doublent la DRACHME synchronede débit	Samsung Electronic
598776	K4D64163HF-TC33	le 1M X 16Bit X 4 banques doublent la DRACHME synchronede débit	Samsung Electronic
598777	K4D64163HF-TC36	le 1M X 16Bit X 4 banques doublent la DRACHME synchronede débit	Samsung Electronic
598778	K4D64163HF-TC40	le 1M X 16Bit X 4 banques doublent la DRACHME synchronede débit	Samsung Electronic
598779	K4D64163HF-TC50	le 1M X 16Bit X 4 banques doublent la DRACHME synchronede débit	Samsung Electronic

598780	K4D64163HF-TC60	le 1M X 16Bit X 4 banques doublent la DRACHME synchronede débit	Samsung Electronic
598781	K4E151611	RAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec des données prolongées dehors	Samsung Electronic
598782	K4E151611D	RAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec des données prolongées dehors	Samsung Electronic
598783	K4E151611D-J	1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 5V, 1K cycle de rafraîchissement.	Samsung Electronic
598784	K4E151611D-T	1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 5V, 1K cycle de rafraîchissement.	Samsung Electronic
598785	K4E151612D	RAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec des données prolongées dehors	Samsung Electronic
598786	K4E151612D-J	1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 1K.	Samsung Electronic
598787	K4E151612D-T	1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 1K.	Samsung Electronic
598788	K4E16(7)0411(2)D	RAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche technique	Samsung Electronic
598789	K4E16(7)0811(2)D	RAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche technique	Samsung Electronic
598790	K4E160411D	RAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec des données prolongées dehors	Samsung Electronic
598791	K4E160411D-B	4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 5V, 2K cycle de rafraîchissement.	Samsung Electronic
598792	K4E160411D-F	4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 5V, 2K cycle de rafraîchissement.	Samsung Electronic
598793	K4E160412D	RAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec des données prolongées dehors	Samsung Electronic
598794	K4E160412D-B	4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 2K.	Samsung Electronic
598795	K4E160412D-F	4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 2K.	Samsung Electronic
598796	K4E160811D	RAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec des données prolongées dehors	Samsung Electronic
598797	K4E160811D-B	2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 5V, 2K cycle de rafraîchissement.	Samsung Electronic
598798	K4E160811D-F	2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 5V, 2K cycle de rafraîchissement.	Samsung Electronic
598799	K4E160812D	RAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec des données prolongées dehors	Samsung Electronic
598800	K4E160812D-B	2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 2K.	Samsung Electronic

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