Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
598961 | K4F151612D-J | 1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 1K. | Samsung Electronic |
598962 | K4F151612D-T | 1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 1K. | Samsung Electronic |
598963 | K4F16(7)0811(2)D | RAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec la fiche technique rapide de mode de page | Samsung Electronic |
598964 | K4F160411C-B50 | RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
598965 | K4F160411C-B60 | RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
598966 | K4F160411C-F50 | RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
598967 | K4F160411C-F60 | RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
598968 | K4F160411D | RAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
598969 | K4F160411D-B | 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 2K cycle de rafraîchissement. | Samsung Electronic |
598970 | K4F160411D-F | 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 2K cycle de rafraîchissement. | Samsung Electronic |
598971 | K4F160412C-B50 | RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
598972 | K4F160412C-B60 | RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
598973 | K4F160412C-F50 | RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
598974 | K4F160412C-F60 | RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
598975 | K4F160412D | RAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
598976 | K4F160412D-B | 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 2K. | Samsung Electronic |
598977 | K4F160412D-F | 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 2K. | Samsung Electronic |
598978 | K4F160811D | RAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
598979 | K4F160811D-B | 2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 2K cycle de rafraîchissement. | Samsung Electronic |
598980 | K4F160811D-F | 2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 2K cycle de rafraîchissement. | Samsung Electronic |
598981 | K4F160812D | RAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
598982 | K4F160812D-B | 2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 2K. | Samsung Electronic |
598983 | K4F160812D-F | 2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 2K. | Samsung Electronic |
598984 | K4F170411C-B50 | RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
598985 | K4F170411C-B60 | RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
598986 | K4F170411C-F50 | RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
598987 | K4F170411C-F60 | RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
598988 | K4F170411D | RAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
598989 | K4F170411D-B | 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement. | Samsung Electronic |
598990 | K4F170411D-F | 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement. | Samsung Electronic |
598991 | K4F170412C-B50 | RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
598992 | K4F170412C-B60 | RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
598993 | K4F170412C-F50 | RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
598994 | K4F170412C-F60 | RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
598995 | K4F170412D | RAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
598996 | K4F170412D-B | 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K. | Samsung Electronic |
598997 | K4F170412D-F | 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K. | Samsung Electronic |
598998 | K4F170811D | RAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
598999 | K4F170811D-B | 2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement. | Samsung Electronic |
599000 | K4F170811D-F | 2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement. | Samsung Electronic |
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