| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 601161 | K6F1616T6B-F | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu du 1M x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601162 | K6F1616T6B-TF55 | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu du 1M x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601163 | K6F1616T6B-TF70 | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu du 1M x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601164 | K6F1616T6C | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu du 1M x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601165 | K6F1616T6C-F | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu du 1M x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601166 | K6F1616T6C-FF55 | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu du 1M x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601167 | K6F1616T6C-FF70 | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu du 1M x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601168 | K6F1616U6A FAMILY | 1M X fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 16 bits et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601169 | K6F1616U6C | basse puissance SRAM de 16Mb(1M x 16 bits) | Samsung Electronic |
| 601170 | K6F1616U6M | 1M X RAM de charge statique de basse puissance superbe de 16 bits et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601171 | K6F1616U6M FAMILY | 1M X fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 16 bits et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601172 | K6F1616U6M-F | 1M X RAM de charge statique de basse puissance superbe de 16 bits et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601173 | K6F2008S2E | RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 256Kx8 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601174 | K6F2008S2E FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe du peu 256Kx8 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601175 | K6F2008S2E-F | RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 256Kx8 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601176 | K6F2008U2E FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe du peu 256Kx8 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601177 | K6F2008U2E-EF55 | RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 256Kx8 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601178 | K6F2008U2E-EF70 | RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 256Kx8 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601179 | K6F2008U2E-YF55 | RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 256Kx8 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601180 | K6F2008U2E-YF70 | RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 256Kx8 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601181 | K6F2008V2E | RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 256Kx8 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601182 | K6F2008V2E FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe du peu 256Kx8 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601183 | K6F2008V2E-LF55 | RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 256Kx8 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601184 | K6F2008V2E-LF70 | RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 256Kx8 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601185 | K6F2008V2E-YF55 | RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 256Kx8 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601186 | K6F2008V2E-YF70 | RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu 256Kx8 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601187 | K6F2016R4D FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 128K x de 16bit et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601188 | K6F2016R4D FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 128K x de 16bit et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601189 | K6F2016S4D FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 128K x de 16bit et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601190 | K6F2016S4E FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de peu de 128K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601191 | K6F2016U4D FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 128K x de 16bit et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601192 | K6F2016U4E | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 128K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601193 | K6F2016U4E FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de peu de 128K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601194 | K6F2016U4E-F | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 128K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601195 | K6F2016V4D FAMILY | 128K X fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 16 bits et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601196 | K6F2016V4E | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 128K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601197 | K6F2016V4E-EF55 | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 128K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601198 | K6F2016V4E-EF70 | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 128K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601199 | K6F2016V4E-F | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 128K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601200 | K6F3216T6M | RAM de charge statique de basse puissance superbe du peu x16 de 2M et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
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