| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 601241 | K6F8008S2M FAMILY | 1M X fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 8 bits et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601242 | K6F8008U2M FAMILY | 1M X fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 8 bits et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601243 | K6F8016R6A FAMILY | 512K X fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 16 bits et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601244 | K6F8016R6B | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 512K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601245 | K6F8016R6B FAMILY | 512K X fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 16 bits et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601246 | K6F8016R6B-F | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 512K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601247 | K6F8016R6D | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 512K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601248 | K6F8016R6D-F | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 512K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601249 | K6F8016R6M FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 512K x de 16bit et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601250 | K6F8016S6A FAMILY | 512K X fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 16 bits et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601251 | K6F8016S6M FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de 512K x de 16bit et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601252 | K6F8016T6C | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 512K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601253 | K6F8016T6C-FF55 | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 512K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601254 | K6F8016T6C-FF70 | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 512K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601255 | K6F8016U6 | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 512K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601256 | K6F8016U6D | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 512K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601257 | K6F8016U6D-FF55 | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 512K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601258 | K6F8016U6D-FF70 | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 512K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601259 | K6F8016U6D-XF55 | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 512K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601260 | K6F8016U6D-XF70 | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 512K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601261 | K6F8016V3A | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 512K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601262 | K6F8016V3A FAMILY | fiche technique statique de RAM de basse puissance superbe de peu de 512K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601263 | K6F8016V3A-F | RAM de charge statique de basse puissance superbe de peu de 512K x16 et de basse tension pleine CMOS | Samsung Electronic |
| 601264 | K6F8016V3A-RF55 | 55ns; V (cc): -0,2 à + 4,0 V; 1W; 512K x 16 bits ultra faible puissance et basse tension plein RAM statique CMOS | Samsung Electronic |
| 601265 | K6F8016V3A-RF70 | 70ns; V (cc): -0,2 à + 4,0 V; 1W; 512K x 16 bits ultra faible puissance et basse tension plein RAM statique CMOS | Samsung Electronic |
| 601266 | K6F8016V3A-TF55 | 55ns; V (cc): -0,2 à + 4,0 V; 1W; 512K x 16 bits ultra faible puissance et basse tension plein RAM statique CMOS | Samsung Electronic |
| 601267 | K6F8016V3A-TF70 | 70ns; V (cc): -0,2 à + 4,0 V; 1W; 512K x 16 bits ultra faible puissance et basse tension plein RAM statique CMOS | Samsung Electronic |
| 601268 | K6L0908C2A | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 64Kx8 | Samsung Electronic |
| 601269 | K6L0908C2A-B | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 64Kx8 | Samsung Electronic |
| 601270 | K6L0908C2A-F | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 64Kx8 | Samsung Electronic |
| 601271 | K6L0908C2A-GB55 | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 64Kx8 | Samsung Electronic |
| 601272 | K6L0908C2A-GB70 | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 64Kx8 | Samsung Electronic |
| 601273 | K6L0908C2A-GF70 | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 64Kx8 | Samsung Electronic |
| 601274 | K6L0908C2A-GL55 | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 64Kx8 | Samsung Electronic |
| 601275 | K6L0908C2A-GL70 | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 64Kx8 | Samsung Electronic |
| 601276 | K6L0908C2A-L | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 64Kx8 | Samsung Electronic |
| 601277 | K6L0908C2A-P | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 64Kx8 | Samsung Electronic |
| 601278 | K6L0908C2A-TB55 | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 64Kx8 | Samsung Electronic |
| 601279 | K6L0908C2A-TB70 | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 64Kx8 | Samsung Electronic |
| 601280 | K6R1004C1D | 256K X fiche technique 4 de bit (avec/OE) CMOS statique à grande vitesse de RAM | Samsung Electronic |
| | | |
