Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
610321 | KM416C1000BJ-7 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 70ns | Samsung Electronic |
610322 | KM416C1000BJL-5 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
610323 | KM416C1000BJL-6 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
610324 | KM416C1000BJL-7 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 70ns | Samsung Electronic |
610325 | KM416C1000BT-5 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
610326 | KM416C1000BT-6 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
610327 | KM416C1000BT-7 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 70ns | Samsung Electronic |
610328 | KM416C1000BTL-5 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
610329 | KM416C1000BTL-6 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
610330 | KM416C1000BTL-7 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 70ns | Samsung Electronic |
610331 | KM416C1000C | RAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
610332 | KM416C1000CJ-5 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
610333 | KM416C1000CJ-6 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
610334 | KM416C1000CJL-5 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
610335 | KM416C1000CJL-6 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
610336 | KM416C1000CT-5 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
610337 | KM416C1000CT-6 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
610338 | KM416C1000CTL-5 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
610339 | KM416C1000CTL-6 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
610340 | KM416C1004BJ-45 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
610341 | KM416C1004BJ-5 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
610342 | KM416C1004BJ-6 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
610343 | KM416C1004BJ-7 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns, | Samsung Electronic |
610344 | KM416C1004BJ-L45 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
610345 | KM416C1004BJ-L5 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
610346 | KM416C1004BJ-L6 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
610347 | KM416C1004BJ-L7 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns, | Samsung Electronic |
610348 | KM416C1004BT-45 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
610349 | KM416C1004BT-5 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
610350 | KM416C1004BT-6 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
610351 | KM416C1004BT-7 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns, | Samsung Electronic |
610352 | KM416C1004BT-L45 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
610353 | KM416C1004BT-L5 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
610354 | KM416C1004BT-L6 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
610355 | KM416C1004BT-L7 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns, | Samsung Electronic |
610356 | KM416C1004C | RAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
610357 | KM416C1004CJ-45 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns, VCC = 5.0V, période de rafraîchissement = 64ms | Samsung Electronic |
610358 | KM416C1004CJ-5 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 50ns, VCC = 5.0V, période de rafraîchissement = 64ms | Samsung Electronic |
610359 | KM416C1004CJ-6 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns, VCC = 5.0V, période de rafraîchissement = 64ms | Samsung Electronic |
610360 | KM416C1004CJ-L45 | 5V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
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