| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 61081 | 2SK2117 | FET de MOS De la Manche Du Silicium N | Hitachi Semiconductor |
| 61082 | 2SK2117 | FET de MOS De N-Canal De Silicium | Hitachi Semiconductor |
| 61083 | 2SK2117 | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 61084 | 2SK2118 | FET de MOS De la Manche Du Silicium N | Hitachi Semiconductor |
| 61085 | 2SK2118 | FET de MOS De N-Canal De Silicium | Hitachi Semiconductor |
| 61086 | 2SK2118 | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 61087 | 2SK212 | Applications De Tuner du FET FM De Silicium De Jonction De N-Canal | SANYO |
| 61088 | 2SK2123 | FET De F-MOS De Puissance De N-Canal De Silicium | Panasonic |
| 61089 | 2SK2124 | FET De F-MOS De Puissance De N-Canal De Silicium | Panasonic |
| 61090 | 2SK2125 | FET De F-MOS De Puissance De N-Canal De Silicium | Panasonic |
| 61091 | 2SK2126 | FET De F-MOS De Puissance De N-Canal De Silicium | Panasonic |
| 61092 | 2SK2127 | Silicon N-Canaux F-MOS FET | Panasonic |
| 61093 | 2SK2128 | FET De F-MOS De Puissance De N-Canal De Silicium | Panasonic |
| 61094 | 2SK2129 | FET De F-MOS De Puissance De N-Canal De Silicium | Panasonic |
| 61095 | 2SK213 | FET de MOS De la Manche Du Silicium N | Hitachi Semiconductor |
| 61096 | 2SK213 | FET de MOS De N-Canal De Silicium | Hitachi Semiconductor |
| 61097 | 2SK213 | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 61098 | 2SK2130 | FET De F-MOS De Puissance De N-Canal De Silicium | Panasonic |
| 61099 | 2SK2131 | UTILISATION INDUSTRIELLE de FET de MOS de PUISSANCE De N-canal de COMMUTATION | NEC |
| 61100 | 2SK2132 | UTILISATION INDUSTRIELLE de FET de MOS de PUISSANCE De N-canal de COMMUTATION | NEC |
| 61101 | 2SK2132-T | FET 180V/â de MOS à haute tension de puissance | NEC |
| 61102 | 2SK2133 | FET du type DMOS de perfectionnement de N-canal | NEC |
| 61103 | 2SK2133-Z | FET du type DMOS de perfectionnement de N-canal | NEC |
| 61104 | 2SK2133-Z-E1 | FET du type DMOS de perfectionnement de N-canal | NEC |
| 61105 | 2SK2134 | UTILISATION INDUSTRIELLE de FET de MOS de PUISSANCE De N-canal de COMMUTATION | NEC |
| 61106 | 2SK2134-Z | UTILISATION INDUSTRIELLE de FET de MOS de PUISSANCE De N-canal de COMMUTATION | NEC |
| 61107 | 2SK2135 | UTILISATION INDUSTRIELLE de FET de MOS de PUISSANCE De N-canal de COMMUTATION | NEC |
| 61108 | 2SK2135(JM) | DMOS à canal N du type à enrichissement FET | NEC |
| 61109 | 2SK2137 | V (DSS): 600V; V (ESG): 30V; I (d): 4A; 30W; Alimentation à commutation à canal N MOSFET. Pour usage industriel | NEC |
| 61110 | 2SK2139 | UTILISATION INDUSTRIELLE de FET de MOS de PUISSANCE De N-canal de COMMUTATION | NEC |
| 61111 | 2SK214 | FET de MOS De la Manche Du Silicium N | Hitachi Semiconductor |
| 61112 | 2SK214 | FET de MOS De N-Canal De Silicium | Hitachi Semiconductor |
| 61113 | 2SK214 | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 61114 | 2SK2141 | UTILISATION INDUSTRIELLE de FET de MOS de PUISSANCE De N-canal de COMMUTATION | NEC |
| 61115 | 2SK2141(JM) | DMOS à canal N du type à enrichissement FET | NEC |
| 61116 | 2SK2144 | FET de MOS De la Manche Du Silicium N | Hitachi Semiconductor |
| 61117 | 2SK2144 | FET de MOS De N-Canal De Silicium | Hitachi Semiconductor |
| 61118 | 2SK2144 | Transistors>Switching/MOSFETs | Renesas |
| 61119 | 2SK2145 | Applications D'Amplificateur De Bruit De Fréquence Sonore De Type De Jonction De la Manche Du Silicium N De Transistor à effet de champ Basses | TOSHIBA |
| 61120 | 2SK2147-01R | Transistor MOSFET de PUISSANCE de SILICIUM De N-canal | Fuji Electric |
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