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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
610921KM44C4000CS-64m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
610922KM44C4000CSL-54m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
610923KM44C4000CSL-64m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
610924KM44C4003CDRACHME de CAS de quadruple de 4M x 4Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
610925KM44C4003CK-54m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
610926KM44C4003CK-64m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
610927KM44C4003CKL-54m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
610928KM44C4003CKL-64m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
610929KM44C4003CS-54m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
610930KM44C4003CS-64m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
610931KM44C4003CSL-54m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
610932KM44C4003CSL-64m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
610933KM44C4005CDRACHME de CAS de quadruple de 4M x 4Bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
610934KM44C4005CK-54M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
610935KM44C4005CK-64M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
610936KM44C4005CKL-54M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
610937KM44C4005CKL-64M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
610938KM44C4005CS-54M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
610939KM44C4005CS-64M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic



610940KM44C4005CSL-54M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
610941KM44C4005CSL-64M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
610942KM44C4100CRAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
610943KM44C4100CK-54m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
610944KM44C4100CK-64m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
610945KM44C4100CKL-54m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
610946KM44C4100CKL-64m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
610947KM44C4100CS-54m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
610948KM44C4100CS-64m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
610949KM44C4100CSL-54m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
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610955KM44C4103CKL-64m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
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610957KM44C4103CS-64m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
610958KM44C4103CSL-54m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
610959KM44C4103CSL-64m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
610960KM44C4104A-550ns; V (cc / in / out): -1 à + 7V; 1W; 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues surSamsung Electronic
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