Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
610921 | KM44C4000CS-6 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
610922 | KM44C4000CSL-5 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
610923 | KM44C4000CSL-6 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
610924 | KM44C4003C | DRACHME de CAS de quadruple de 4M x 4Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
610925 | KM44C4003CK-5 | 4m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
610926 | KM44C4003CK-6 | 4m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
610927 | KM44C4003CKL-5 | 4m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
610928 | KM44C4003CKL-6 | 4m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
610929 | KM44C4003CS-5 | 4m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
610930 | KM44C4003CS-6 | 4m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
610931 | KM44C4003CSL-5 | 4m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
610932 | KM44C4003CSL-6 | 4m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
610933 | KM44C4005C | DRACHME de CAS de quadruple de 4M x 4Bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
610934 | KM44C4005CK-5 | 4M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
610935 | KM44C4005CK-6 | 4M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
610936 | KM44C4005CKL-5 | 4M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
610937 | KM44C4005CKL-6 | 4M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
610938 | KM44C4005CS-5 | 4M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
610939 | KM44C4005CS-6 | 4M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
610940 | KM44C4005CSL-5 | 4M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
610941 | KM44C4005CSL-6 | 4M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
610942 | KM44C4100C | RAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
610943 | KM44C4100CK-5 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
610944 | KM44C4100CK-6 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
610945 | KM44C4100CKL-5 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
610946 | KM44C4100CKL-6 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
610947 | KM44C4100CS-5 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
610948 | KM44C4100CS-6 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
610949 | KM44C4100CSL-5 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
610950 | KM44C4100CSL-6 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
610951 | KM44C4103C | DRACHME de CAS de quadruple de 4M x 4Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
610952 | KM44C4103CK-5 | 4m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
610953 | KM44C4103CK-6 | 4m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
610954 | KM44C4103CKL-5 | 4m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
610955 | KM44C4103CKL-6 | 4m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
610956 | KM44C4103CS-5 | 4m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
610957 | KM44C4103CS-6 | 4m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
610958 | KM44C4103CSL-5 | 4m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
610959 | KM44C4103CSL-6 | 4m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
610960 | KM44C4104A-5 | 50ns; V (cc / in / out): -1 à + 7V; 1W; 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur | Samsung Electronic |
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