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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
611001KM44S16030BT-G_FL100MHz; -1,0 À 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4 bits x 4 banques synchrone CMOS SDRAMSamsung Electronic
611002KM44S16030CT-G_F10100MHz; -1,0 À 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4 bits x 4 banques synchrone CMOS SDRAMSamsung Electronic
611003KM44S16030CT-G_F7143MHz; -1,0 À 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4 bits x 4 banques synchrone CMOS SDRAMSamsung Electronic
611004KM44S16030CT-G_F8125MHz; -1,0 À 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4 bits x 4 banques synchrone CMOS SDRAMSamsung Electronic
611005KM44S16030CT-G_FH100MHz; -1,0 À 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4 bits x 4 banques synchrone CMOS SDRAMSamsung Electronic
611006KM44S16030CT-G_FL100MHz; -1,0 À 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4 bits x 4 banques synchrone CMOS SDRAMSamsung Electronic
611007KM44S320308M x 4Bit X DRACHME synchrone de 4 banquesSamsung Electronic
611008KM44S32030B8M x 4Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
611009KM44S32030BT-G/F10128Mbit SDRAM 8M x 4Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
611010KM44S32030BT-G/F8128Mbit SDRAM 8M x 4Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
611011KM44S32030BT-G/FA128Mbit SDRAM 8M x 4Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
611012KM44S32030BT-G/FH128Mbit SDRAM 8M x 4Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
611013KM44S32030BT-G/FL128Mbit SDRAM 8M x 4Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
611014KM44S32030T-G/F108M x 4Bit X DRACHME synchrone de 4 banquesSamsung Electronic
611015KM44S32030T-G/F88M x 4Bit X DRACHME synchrone de 4 banquesSamsung Electronic
611016KM44S32030T-G/FH8M x 4Bit X DRACHME synchrone de 4 banquesSamsung Electronic
611017KM44S32030T-G/FL8M x 4Bit X DRACHME synchrone de 4 banquesSamsung Electronic
611018KM44S3203BT-G_F108m x 4 bits x 4 banques synchrone DRAME LVTTL. Fréquence Max. 66 MHz (CL = 2 & 3).Samsung Electronic
611019KM44S3203BT-G_F88m x 4 bits x 4 banques synchrone DRAME LVTTL. Fréquence Max. 125 MHz (CL = 3).Samsung Electronic



611020KM44S3203BT-G_FA8m x 4 bits x 4 banques synchrone DRAME LVTTL. Fréquence Max. 133 MHz (CL = 3).Samsung Electronic
611021KM44S3203BT-G_FH8m x 4 bits x 4 banques synchrone DRAME LVTTL. Fréquence Max. 100 MHz (CL = 2).Samsung Electronic
611022KM44S3203BT-G_FL8m x 4 bits x 4 banques synchrone DRAME LVTTL. Fréquence Max. 100 MHz (CL = 3).Samsung Electronic
611023KM44V1000DRAM dynamique du 1M X 4Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
611024KM44V1000DJ-6RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
611025KM44V1000DJ-7RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
611026KM44V1000DJL-6RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
611027KM44V1000DJL-7RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
611028KM44V1000DT-6RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
611029KM44V1000DT-7RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
611030KM44V1000DTL-6RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
611031KM44V1000DTL-7RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
611032KM44V4000CRAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
611033KM44V4000CK-54m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
611034KM44V4000CK-64m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
611035KM44V4000CKL-54m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
611036KM44V4000CKL-64m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
611037KM44V4000CS-54m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
611038KM44V4000CS-64m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
611039KM44V4000CSL-54m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
611040KM44V4000CSL-64m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
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