Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
611001 | KM44S16030BT-G_FL | 100MHz; -1,0 À 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4 bits x 4 banques synchrone CMOS SDRAM | Samsung Electronic |
611002 | KM44S16030CT-G_F10 | 100MHz; -1,0 À 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4 bits x 4 banques synchrone CMOS SDRAM | Samsung Electronic |
611003 | KM44S16030CT-G_F7 | 143MHz; -1,0 À 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4 bits x 4 banques synchrone CMOS SDRAM | Samsung Electronic |
611004 | KM44S16030CT-G_F8 | 125MHz; -1,0 À 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4 bits x 4 banques synchrone CMOS SDRAM | Samsung Electronic |
611005 | KM44S16030CT-G_FH | 100MHz; -1,0 À 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4 bits x 4 banques synchrone CMOS SDRAM | Samsung Electronic |
611006 | KM44S16030CT-G_FL | 100MHz; -1,0 À 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4 bits x 4 banques synchrone CMOS SDRAM | Samsung Electronic |
611007 | KM44S32030 | 8M x 4Bit X DRACHME synchrone de 4 banques | Samsung Electronic |
611008 | KM44S32030B | 8M x 4Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banques | Samsung Electronic |
611009 | KM44S32030BT-G/F10 | 128Mbit SDRAM 8M x 4Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banques | Samsung Electronic |
611010 | KM44S32030BT-G/F8 | 128Mbit SDRAM 8M x 4Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banques | Samsung Electronic |
611011 | KM44S32030BT-G/FA | 128Mbit SDRAM 8M x 4Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banques | Samsung Electronic |
611012 | KM44S32030BT-G/FH | 128Mbit SDRAM 8M x 4Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banques | Samsung Electronic |
611013 | KM44S32030BT-G/FL | 128Mbit SDRAM 8M x 4Bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banques | Samsung Electronic |
611014 | KM44S32030T-G/F10 | 8M x 4Bit X DRACHME synchrone de 4 banques | Samsung Electronic |
611015 | KM44S32030T-G/F8 | 8M x 4Bit X DRACHME synchrone de 4 banques | Samsung Electronic |
611016 | KM44S32030T-G/FH | 8M x 4Bit X DRACHME synchrone de 4 banques | Samsung Electronic |
611017 | KM44S32030T-G/FL | 8M x 4Bit X DRACHME synchrone de 4 banques | Samsung Electronic |
611018 | KM44S3203BT-G_F10 | 8m x 4 bits x 4 banques synchrone DRAME LVTTL. Fréquence Max. 66 MHz (CL = 2 & 3). | Samsung Electronic |
611019 | KM44S3203BT-G_F8 | 8m x 4 bits x 4 banques synchrone DRAME LVTTL. Fréquence Max. 125 MHz (CL = 3). | Samsung Electronic |
611020 | KM44S3203BT-G_FA | 8m x 4 bits x 4 banques synchrone DRAME LVTTL. Fréquence Max. 133 MHz (CL = 3). | Samsung Electronic |
611021 | KM44S3203BT-G_FH | 8m x 4 bits x 4 banques synchrone DRAME LVTTL. Fréquence Max. 100 MHz (CL = 2). | Samsung Electronic |
611022 | KM44S3203BT-G_FL | 8m x 4 bits x 4 banques synchrone DRAME LVTTL. Fréquence Max. 100 MHz (CL = 3). | Samsung Electronic |
611023 | KM44V1000D | RAM dynamique du 1M X 4Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
611024 | KM44V1000DJ-6 | RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
611025 | KM44V1000DJ-7 | RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70ns | Samsung Electronic |
611026 | KM44V1000DJL-6 | RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
611027 | KM44V1000DJL-7 | RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70ns | Samsung Electronic |
611028 | KM44V1000DT-6 | RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
611029 | KM44V1000DT-7 | RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70ns | Samsung Electronic |
611030 | KM44V1000DTL-6 | RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
611031 | KM44V1000DTL-7 | RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70ns | Samsung Electronic |
611032 | KM44V4000C | RAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
611033 | KM44V4000CK-5 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
611034 | KM44V4000CK-6 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
611035 | KM44V4000CKL-5 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
611036 | KM44V4000CKL-6 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
611037 | KM44V4000CS-5 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
611038 | KM44V4000CS-6 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
611039 | KM44V4000CSL-5 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
611040 | KM44V4000CSL-6 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
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