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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
611041KM44V4100CRAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
611042KM44V4100CK-54m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
611043KM44V4100CK-64m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
611044KM44V4100CKL-54m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
611045KM44V4100CKL-64m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
611046KM44V4100CS-54m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
611047KM44V4100CS-64m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
611048KM44V4100CSL-54m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
611049KM44V4100CSL-64m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
611050KM44V4104BKV (cc): -0,5 à + 4.6V; 1W; 50mA; 4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues surSamsung Electronic
611051KM48C2000BRAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
611052KM48C2000BK-5RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
611053KM48C2000BK-6RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
611054KM48C2000BK-7RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 70nsSamsung Electronic
611055KM48C2000BKL-5RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
611056KM48C2000BKL-6RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
611057KM48C2000BKL-7RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 70nsSamsung Electronic
611058KM48C2000BS-5RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
611059KM48C2000BS-6RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic



611060KM48C2000BS-7RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 70nsSamsung Electronic
611061KM48C2000BSL-5RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
611062KM48C2000BSL-6RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
611063KM48C2000BSL-7RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 70nsSamsung Electronic
611064KM48C2100BRAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
611065KM48C2100BK-5RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
611066KM48C2100BK-6RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
611067KM48C2100BK-7RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 70nsSamsung Electronic
611068KM48C2100BKL-5RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
611069KM48C2100BKL-6RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
611070KM48C2100BKL-7RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 70nsSamsung Electronic
611071KM48C2100BS-5RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
611072KM48C2100BS-6RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
611073KM48C2100BS-7RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 70nsSamsung Electronic
611074KM48C2100BSL-5RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
611075KM48C2100BSL-6RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
611076KM48C2100BSL-7RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 70nsSamsung Electronic
611077KM48C8004BRAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
611078KM48C8004BK-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 5V, 45nsSamsung Electronic
611079KM48C8004BK-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 5V, 50nsSamsung Electronic
611080KM48C8004BK-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 5V, 60nsSamsung Electronic
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