| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 63481 | 2SK979 | 2SK979 | Unknow |
| 63482 | 2SK979 | 2SK979 | Unknow |
| 63483 | 2SK982 | Applications Analogues D'Interface D'Applications De Commutateur D'Applications À grande vitesse De Commutation De Type de MOS De la Manche Du Silicium N De Transistor à effet de champ | TOSHIBA |
| 63484 | 2SK996 | FET De F-MOS De Puissance De N-canal De Silicium | Panasonic |
| 63485 | 2SK996 | FET De F-MOS De Puissance De N-canal De Silicium | Panasonic |
| 63486 | 2ST31A | Basse tension transistor de puissance NPN | ST Microelectronics |
| 63487 | 2STA1695 | Puissance PNP haut épitaxiale transistor bipolaire planaire | ST Microelectronics |
| 63488 | 2STA1943 | Puissance PNP haut épitaxiale transistor bipolaire planaire | ST Microelectronics |
| 63489 | 2STB121PM | CONDUISEZ L'IC | Omron |
| 63490 | 2STBN15D100 | Basse tension transistor NPN puissance de Darlington | ST Microelectronics |
| 63491 | 2STBN15D100T4 | Basse tension transistor NPN puissance de Darlington | ST Microelectronics |
| 63492 | 2STC5242 | Haute puissance NPN transistor bipolaire planaire épitaxiale | ST Microelectronics |
| 63493 | 2STD1665 | Basse tension à commutation rapide transistor de puissance NPN | ST Microelectronics |
| 63494 | 2STD1665T4 | Basse tension à commutation rapide transistor de puissance NPN | ST Microelectronics |
| 63495 | 2STF1360 | Basse tension à commutation rapide des transistors de puissance NPN | ST Microelectronics |
| 63496 | 2STF1550 | Transistors de puissance NPN haute performance à basse tension | ST Microelectronics |
| 63497 | 2STF2280 | Transistors, puissance bipolaire, Basse Tension - Haute Performance | ST Microelectronics |
| 63498 | 2STF2360 | Basse tension à commutation rapide des transistors de puissance PNP | ST Microelectronics |
| 63499 | 2STF2550 | Transistors de puissance PNP haute performance à basse tension | ST Microelectronics |
| 63500 | 2STL2580 | Haute tension à commutation rapide transistor de puissance NPN | ST Microelectronics |
| 63501 | 2STL2580-AP | Haute tension à commutation rapide transistor de puissance NPN | ST Microelectronics |
| 63502 | 2STN1360 | Basse tension à commutation rapide des transistors de puissance NPN | ST Microelectronics |
| 63503 | 2STN1550 | Transistors de puissance NPN haute performance à basse tension | ST Microelectronics |
| 63504 | 2STN2360 | Basse tension à commutation rapide des transistors de puissance PNP | ST Microelectronics |
| 63505 | 2STN2540 | Basse tension à commutation rapide puissance PNP transistor bipolaire | ST Microelectronics |
| 63506 | 2STP535FP | Puissance transistor NPN Darlington | ST Microelectronics |
| 63507 | 2STR1160 | Basse tension à commutation rapide transistor de puissance NPN | ST Microelectronics |
| 63508 | 2STR1215 | Basse tension à commutation rapide transistor de puissance NPN | ST Microelectronics |
| 63509 | 2STR1230 | Basse tension à commutation rapide transistor de puissance NPN | ST Microelectronics |
| 63510 | 2STR2160 | Basse tension à commutation rapide transistor de puissance PNP | ST Microelectronics |
| 63511 | 2STR2230 | Basse tension à commutation rapide transistor de puissance PNP | ST Microelectronics |
| 63512 | 2STW100 | Transistors, puissance bipolaire, Darlington | ST Microelectronics |
| 63513 | 2STW200 | Transistors, puissance bipolaire, Darlington | ST Microelectronics |
| 63514 | 2STX1360 | Basse tension à commutation rapide des transistors de puissance NPN | ST Microelectronics |
| 63515 | 2STX1360-AP | Basse tension à commutation rapide des transistors de puissance NPN | ST Microelectronics |
| 63516 | 2V010 | varistance à oxyde métallique. Diamètre du boîtier 16 mm. Varistance Tension nominale 18 V @ courant de test de 1 mA DC. | NTE Electronics |
| 63517 | 2V014 | varistance à oxyde métallique. Diamètre du boîtier 16 mm. Varistance Tension nominale 22 V @ courant de test de 1 mA DC. | NTE Electronics |
| 63518 | 2V015 | varistance à oxyde métallique. Diamètre du boîtier 16 mm. Varistance Tension nominale 24 V @ courant de test de 1 mA DC. | NTE Electronics |
| 63519 | 2V017 | varistance à oxyde métallique. Diamètre du boîtier 16 mm. Varistance Tension nominale 27 V @ courant de test de 1 mA DC. | NTE Electronics |
| 63520 | 2V020 | varistance à oxyde métallique. Diamètre du boîtier 16 mm. Varistance Tension nominale 33 V @ courant de test de 1 mA DC. | NTE Electronics |
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