Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
658841 | LS4117 | N-canal Ultra-haut JFET d'cImpédance d'cEntrée | Linear Systems |
658842 | LS4117-9 | N-canal Ultra-haut JFET d'cImpédance d'cEntrée | Linear Systems |
658843 | LS4117-9 | N-canal Ultra-haut JFET d'cImpédance d'cEntrée | Linear Systems |
658844 | LS4118 | N-canal Ultra-haut JFET d'cImpédance d'cEntrée | Linear Systems |
658845 | LS4118 | N-canal Ultra-haut JFET d'cImpédance d'cEntrée | Linear Systems |
658846 | LS411860 | 1800V, 600A usage général unique diode | Powerex Power Semiconductors |
658847 | LS4119 | N-canal Ultra-haut JFET d'cImpédance d'cEntrée | Linear Systems |
658848 | LS4119 | N-canal Ultra-haut JFET d'cImpédance d'cEntrée | Linear Systems |
658849 | LS412060 | 2000V, 600A usage général unique diode | Powerex Power Semiconductors |
658850 | LS412260 | 2200 V, 600A usage général unique diode | Powerex Power Semiconductors |
658851 | LS412460 | Module d'isolement par diode simple de Prisonnier de guerre-r-blok (600 ampères/jusqu'à 2400 volts) | Powerex Power Semiconductors |
658852 | LS4148 | Diode Rapide De Commutation | Vishay |
658853 | LS4148 | Diode Planaire D'Expitaxial De Silicium | Honey Technology |
658854 | LS4148 | DIODES EXTÉRIEURES DE COMMUTATION DE BÂTI | Jinan Gude Electronic Device |
658855 | LS4148 | DIODE de SIGNAL De 1N4148 Quadro MELF | Rectron Semiconductor |
658856 | LS4148 | Montage en surface de silicium Planar Diodes | Diotec Elektronische |
658857 | LS4148 | 100V; montage en surface de 2.0A diode de commutation rapide pour les applications de commutation pirpose général | Diodes |
658858 | LS4148 | Silicon Diode planaire épitaxiale | Semtech |
658859 | LS4150 | Diode Rapide De Commutation | Vishay |
658860 | LS4150 | 50 V, surface de commutation rapide diode montage | TRANSYS Electronics Limited |
658861 | LS4150 | Montage 50 V, surface diode de commutation rapide | TRSYS |
658862 | LS4151 | Diode Rapide De Commutation | Vishay |
658863 | LS4154 | Diode Rapide De Commutation | Vishay |
658864 | LS4160 | Module d'isolement par diode simple de Prisonnier de guerre-r-blok (600 ampères/jusqu'à 2400 volts) | Powerex Power Semiconductors |
658865 | LS421 | N-canal DUEL MONOLITHIQUE JFET De BASSE DÉRIVE de FUITE BASSE | Linear Systems |
658866 | LS421 | N-canal DUEL MONOLITHIQUE JFET De BASSE DÉRIVE de FUITE BASSE | Linear Systems |
658867 | LS421-6 | N-canal DUEL MONOLITHIQUE JFET De BASSE DÉRIVE de FUITE BASSE | Linear Systems |
658868 | LS421-6 | N-canal DUEL MONOLITHIQUE JFET De BASSE DÉRIVE de FUITE BASSE | Linear Systems |
658869 | LS422 | N-canal DUEL MONOLITHIQUE JFET De BASSE DÉRIVE de FUITE BASSE | Linear Systems |
658870 | LS422 | N-canal DUEL MONOLITHIQUE JFET De BASSE DÉRIVE de FUITE BASSE | Linear Systems |
658871 | LS423 | N-canal DUEL MONOLITHIQUE JFET De BASSE DÉRIVE de FUITE BASSE | Linear Systems |
658872 | LS423 | N-canal DUEL MONOLITHIQUE JFET De BASSE DÉRIVE de FUITE BASSE | Linear Systems |
658873 | LS424 | N-canal DUEL MONOLITHIQUE JFET De BASSE DÉRIVE de FUITE BASSE | Linear Systems |
658874 | LS424 | N-canal DUEL MONOLITHIQUE JFET De BASSE DÉRIVE de FUITE BASSE | Linear Systems |
658875 | LS425 | N-canal DUEL MONOLITHIQUE JFET De BASSE DÉRIVE de FUITE BASSE | Linear Systems |
658876 | LS425 | N-canal DUEL MONOLITHIQUE JFET De BASSE DÉRIVE de FUITE BASSE | Linear Systems |
658877 | LS426 | N-canal DUEL MONOLITHIQUE JFET De BASSE DÉRIVE de FUITE BASSE | Linear Systems |
658878 | LS426 | N-canal DUEL MONOLITHIQUE JFET De BASSE DÉRIVE de FUITE BASSE | Linear Systems |
658879 | LS4301-7 | 100 Watt, tension d'entrée: 85-264V, la tension de sortie de 12V (8A), convertisseur AC / DC avec PFC | Power-One |
658880 | LS4301-7R | 100 convertisseurs de C.a.-C.c de watt avec PFC | Power-One |
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