| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 691401 | M30L0R7000T0ZAQE | 128 Mbit (8Mb x16, Banque, À multiniveaux Multiples, Éclat),Mémoire D'Instantané De l'Approvisionnement 1.8V | ST Microelectronics |
| 691402 | M30L0R7000T0ZAQF | 128 Mbit (8Mb x16, Banque, À multiniveaux Multiples, Éclat),Mémoire D'Instantané De l'Approvisionnement 1.8V | ST Microelectronics |
| 691403 | M30L0R7000T0ZAQT | 128 Mbit (8Mb x16, Banque, À multiniveaux Multiples, Éclat),Mémoire D'Instantané De l'Approvisionnement 1.8V | ST Microelectronics |
| 691404 | M30L0R7000XX | 128 Mbit (8Mb x16, Banque, À multiniveaux Multiples, Éclat),Mémoire D'Instantané De l'Approvisionnement 1.8V | ST Microelectronics |
| 691405 | M30L0R8000B0 | 256 Mémoire D'Instantané De l'Approvisionnement De Mbit (16Mb x16, Banque, À multiniveaux Multiples, Éclat) 1.8V | ST Microelectronics |
| 691406 | M30L0R8000B0ZAQ | 256 Mémoire D'Instantané De l'Approvisionnement De Mbit (16Mb x16, Banque, À multiniveaux Multiples, Éclat) 1.8V | ST Microelectronics |
| 691407 | M30L0R8000B0ZAQE | 256 Mémoire D'Instantané De l'Approvisionnement De Mbit (16Mb x16, Banque, À multiniveaux Multiples, Éclat) 1.8V | ST Microelectronics |
| 691408 | M30L0R8000B0ZAQF | 256 Mémoire D'Instantané De l'Approvisionnement De Mbit (16Mb x16, Banque, À multiniveaux Multiples, Éclat) 1.8V | ST Microelectronics |
| 691409 | M30L0R8000B0ZAQT | 256 Mémoire D'Instantané De l'Approvisionnement De Mbit (16Mb x16, Banque, À multiniveaux Multiples, Éclat) 1.8V | ST Microelectronics |
| 691410 | M30L0R8000T0 | 256 Mémoire D'Instantané De l'Approvisionnement De Mbit (16Mb x16, Banque, À multiniveaux Multiples, Éclat) 1.8V | ST Microelectronics |
| 691411 | M30L0R8000T0ZAQ | 256 Mémoire D'Instantané De l'Approvisionnement De Mbit (16Mb x16, Banque, À multiniveaux Multiples, Éclat) 1.8V | ST Microelectronics |
| 691412 | M30L0R8000T0ZAQE | 256 Mémoire D'Instantané De l'Approvisionnement De Mbit (16Mb x16, Banque, À multiniveaux Multiples, Éclat) 1.8V | ST Microelectronics |
| 691413 | M30L0R8000T0ZAQF | 256 Mémoire D'Instantané De l'Approvisionnement De Mbit (16Mb x16, Banque, À multiniveaux Multiples, Éclat) 1.8V | ST Microelectronics |
| 691414 | M30L0R8000T0ZAQT | 256 Mémoire D'Instantané De l'Approvisionnement De Mbit (16Mb x16, Banque, À multiniveaux Multiples, Éclat) 1.8V | ST Microelectronics |
| 691415 | M30LW128D | 128 APPROVISIONNEMENT DE MBIT (DEUX 64MBIT, X8/x16, BLOC UNIFORME, MÉMOIRES INSTANTANÉES) 3CV, PRODUIT DE MÉMOIRE MULTIPLE | ST Microelectronics |
| 691416 | M30LW128D110N1T | 128 approvisionnement de Mbit (deux 64Mbit, x8/x16, bloc uniforme, mémoires instantanées) 3V, produit de mémoire multiple | ST Microelectronics |
| 691417 | M30LW128D110N6T | 128 approvisionnement de Mbit (deux 64Mbit, x8/x16, bloc uniforme, mémoires instantanées) 3V, produit de mémoire multiple | ST Microelectronics |
| 691418 | M30LW128D110ZA1T | 128 approvisionnement de Mbit (deux 64Mbit, x8/x16, bloc uniforme, mémoires instantanées) 3V, produit de mémoire multiple | ST Microelectronics |
| 691419 | M30LW128D110ZA6 | 128 APPROVISIONNEMENT DE MBIT (DEUX 64MBIT, X8/x16, BLOC UNIFORME, MÉMOIRES INSTANTANÉES) 3CV, PRODUIT DE MÉMOIRE MULTIPLE | ST Microelectronics |
| 691420 | M30LW128D110ZA6T | 128 APPROVISIONNEMENT DE MBIT (DEUX 64MBIT, X8/x16, BLOC UNIFORME, MÉMOIRES INSTANTANÉES) 3CV, PRODUIT DE MÉMOIRE MULTIPLE | ST Microelectronics |
| 691421 | M30LW128D110ZE1T | 128 approvisionnement de Mbit (deux 64Mbit, x8/x16, bloc uniforme, mémoires instantanées) 3V, produit de mémoire multiple | ST Microelectronics |
| 691422 | M30LW128D110ZE6T | 128 approvisionnement de Mbit (deux 64Mbit, x8/x16, bloc uniforme, mémoires instantanées) 3V, produit de mémoire multiple | ST Microelectronics |
| 691423 | M30W0R6500T0 | 96 Approvisionnement De Mbit (64 + 32Mb, x16, Banque Multiple, Éclat, Mémoires Instantanées) 1.8V, Paquet De Multi-Morceau | ST Microelectronics |
| 691424 | M30W0R6500T0ZAQT | 96 Approvisionnement De Mbit (64 + 32Mb, x16, Banque Multiple, Éclat, Mémoires Instantanées) 1.8V, Paquet De Multi-Morceau | ST Microelectronics |
| 691425 | M30W0R7000B1 | 128 mémoire d'instantané de l'approvisionnement de Mbit (8Mb X 16, banque multiple, éclat) 1.8V | ST Microelectronics |
| 691426 | M30W0R7000B1ZAQF | 128 mémoire d'instantané de l'approvisionnement de Mbit (8Mb X 16, banque multiple, éclat) 1.8V | ST Microelectronics |
| 691427 | M3100 | 100V; 3.0A barrière Schottky haute tension redresseur. Pour une utilisation en basse tension, onduleurs à haute fréquence, roue libre et la polarité demande de protection | Diodes |
| 691428 | M312L1713CT0 | Fiche technique de M312L1713CT0 DDR SDRAM 184pin DIMM | Samsung Electronic |
| 691429 | M312L2828BT0 | Fiche technique de M312L2828BT0 DDR SDRAM 184pin DIMM 128Mx72 DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 691430 | M312L2828CT0 | Fiche technique de M312L2828CT0 DDR SDRAM 184pin DIMM 128Mx72 DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 691431 | M312L2828ET0 | Module Enregistré par SDRAM de DDR | Samsung Electronic |
| 691432 | M312L2920BG0 | Module Enregistré par SDRAM de DDR | Samsung Electronic |
| 691433 | M312L2920BG0-A2 | Module Enregistré par SDRAM de DDR | Samsung Electronic |
| 691434 | M312L2920BG0-B0 | Module Enregistré par SDRAM de DDR | Samsung Electronic |
| 691435 | M312L2920BG0-CB3 | Module Enregistré par SDRAM de DDR | Samsung Electronic |
| 691436 | M312L2920BT | Module Enregistré par SDRAM de DDR | Samsung Electronic |
| 691437 | M312L2920BTS-A2 | Module Enregistré par SDRAM de DDR | Samsung Electronic |
| 691438 | M312L2920BTS-CAA | Module Enregistré par SDRAM de DDR | Samsung Electronic |
| 691439 | M312L2920MT0 | Fiche technique de M312L2920MT0 DDR SDRAM 184pin DIMM | Samsung Electronic |
| 691440 | M312L2923BG0-A2 | Module Enregistré par SDRAM de DDR | Samsung Electronic |
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