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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
823161MGFS48B21222.11 - 2.17 FET de la BANDE 60W GaAs De GigahertzMitsubishi Electric Corporation
823162MGFS48V25272,7 - 2,5 FET de la BANDE 60W GaAs De GigahertzMitsubishi Electric Corporation
823163MGFX36V071710.7-11.7GHz FET INTÉRIEUREMENT ASSORTI de la BANDE 4W GaAsMitsubishi Electric Corporation
823164MGFX39V071710.7-11.7GHz FET De la Bande 8W Intérieurement MATCHD GaAsMitsubishi Electric Corporation
823165MGLM111Tension d'alimentation négative: -30V; tension d'alimentation positive: + 30V; tension d'alimentation totale: 36V; comparateur de tension.National Semiconductor
823166MGM3000XModulateur visuel pour FM/AM-AudioSiemens
823167MGP11N60ETransistor Bipolaire Isolé De PorteMotorola
823168MGP11N60E-DPorte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De PorteON Semiconductor
823169MGP11N60EDSur-tension ÉVALUÉE de CIRCUIT COURT BASSEON Semiconductor
823170MGP11N60ED-DTransistor bipolaire isolé de porte avec la porte de silicium Anti-Parallèle de Perfectionnement-Mode de N-Canal de diodeON Semiconductor
823171MGP14N60ETransistor Bipolaire Isolé De PorteMotorola
823172MGP14N60E-DPorte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De PorteON Semiconductor
823173MGP15N35CLAllumage IGBT 15 Ampères, 350 VoltsON Semiconductor
823174MGP15N35CL-DAllumage IGBT 15 ampères, 350 volts de N-Canal To-220 et D2PAKON Semiconductor
823175MGP15N38CLN-Canal Intérieurement Maintenu IGBTON Semiconductor
823176MGP15N38CL-DAllumage IGBT 15 ampères, 380 volts de N-Canal To-220 et D2PAKON Semiconductor
823177MGP15N40CLAllumage IGBT 15 Ampères, 410 VoltsON Semiconductor
823178MGP15N40CL-DAllumage IGBT 15 ampères, 410 volts de N-Canal To-220 et D2PAKON Semiconductor



823179MGP15N43CLN-Canal Intérieurement Maintenu IGBTON Semiconductor
823180MGP15N43CL-DAllumage IGBT 15 ampères, 430 volts de N-Canal To-220 et D2PAKON Semiconductor
823181MGP15N60UTransistor Bipolaire Isolé De PorteMotorola
823182MGP15N60U-DPorte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De PorteON Semiconductor
823183MGP19N35CLAllumage IGBT 19 Ampères, 350 VoltsON Semiconductor
823184MGP19N35CL-DAllumage IGBT 19 ampères, 350 volts de N-Canal To-220 et D2PAKON Semiconductor
823185MGP20N14CLIntérieurement Maintenu, N-Canal IGBTMotorola
823186MGP20N14CL-DSMARTDISCRETES Intérieurement Maintenu, N-Canal IGBTON Semiconductor
823187MGP20N35CLSMARTDISCRETES Intérieurement Maintenu, N-Canal IGBTMotorola
823188MGP20N35CL-DSMARTDISCRETES Intérieurement Maintenu, N-Canal IGBTON Semiconductor
823189MGP20N40CLSMARTDISCRETES Intérieurement Maintenu, N-Canal IGBTMotorola
823190MGP20N40CL-DSMARTDISCRETES Intérieurement Maintenu, N-Canal IGBTON Semiconductor
823191MGP20N60UTransistor Bipolaire Isolé De PorteMotorola
823192MGP20N60U-DPorte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De PorteON Semiconductor
823193MGP21N60ETransistor Bipolaire Isolé De PorteMotorola
823194MGP21N60E-DPorte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De PorteON Semiconductor
823195MGP3006Gigahertz PLL avec l'autobus d'cI2c et quatre adresses de morceauSiemens
823196MGP3006XGigahertz PLL avec l'autobus d'cI2c et quatre adresses de morceauSiemens
823197MGP3006X6Gigahertz PLL avec l'autobus d'cI2c et quatre adresses de morceauSiemens
823198MGP4N60ETransistor Bipolaire Isolé De PorteMotorola
823199MGP4N60E-DPorte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De PorteON Semiconductor
823200MGP4N60EDTransistor bipolaire isolé de porte avec la diode Anti-ParallèleON Semiconductor
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