| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 823281 | MGSF3454VT1-D | Les Bas Transistors MOSFET Small-Signal TMOS De Rds(on) Choisissent Des Transistors à effet de champ De N-Canal | ON Semiconductor |
| 823282 | MGSF3454VT3 | Low RDS (on) petits signaux TMOS MOSFET transistor à effet de champ à canal unique N | Motorola |
| 823283 | MGSF3454XT1 | Transistor MOSFET Du Perfectionnement-mode TMOS De N-canal | Motorola |
| 823284 | MGSF3454XT1 | MOSFET unique du N-Canal | ON Semiconductor |
| 823285 | MGSF3454XT1-D | Les Bas Transistors MOSFET Small-Signal TMOS De Rds(on) Choisissent Des Transistors à effet de champ De N-Canal | ON Semiconductor |
| 823286 | MGSF3454XT3 | Low RDS (on) petits signaux TMOS MOSFET transistor à effet de champ à canal unique N | Motorola |
| 823287 | MGSF3455VT1 | Transistor MOSFET Du Perfectionnement-mode TMOS De P-canal | Motorola |
| 823288 | MGSF3455VT1-D | Les Bas Transistors MOSFET Small-Signal TMOS De Rds(on) Choisissent Des Transistors à effet de champ De P-Canal | ON Semiconductor |
| 823289 | MGSF3455VT3 | Low RDS (on) petits signaux TMOS MOSFET transistor à effet de champ à canal unique N | Motorola |
| 823290 | MGSF3455XT1 | Transistor MOSFET Du Perfectionnement-mode TMOS De P-canal | Motorola |
| 823291 | MGSF3455XT1 | Simple Canal P MOSFET | ON Semiconductor |
| 823292 | MGSF3455XT1-D | Les Bas Transistors MOSFET Small-Signal TMOS De Rds(on) Choisissent Des Transistors à effet de champ De P-Canal | ON Semiconductor |
| 823293 | MGSF3455XT3 | Low RDS (on) petits signaux TMOS MOSFET transistor à effet de champ à canal unique N | Motorola |
| 823294 | MGTO1000 | Déclenchez le thyristor d'arrêt/tension hors état maximale réitérée 1000 A V/18 RMS | Motorola |
| 823295 | MGTO1200 | LA PORTE ARRÊTENT DES THYRISTORS | Motorola |
| 823296 | MGV12N120D | Transistor bipolaire isolé de porte avec la diode Anti-Parallèle | Motorola |
| 823297 | MGW12N120 | Transistor Bipolaire Isolé De Porte | Motorola |
| 823298 | MGW12N120 | Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel | ON Semiconductor |
| 823299 | MGW12N120-D | Porte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De Porte | ON Semiconductor |
| 823300 | MGW12N120D | Transistor bipolaire isolé de porte avec la diode Anti-Parallèle | Motorola |
| 823301 | MGW12N120D | Insulated Gate Bipolar Transistor avec diode anti-parallèle N-Channel | ON Semiconductor |
| 823302 | MGW12N120D-D | Transistor bipolaire isolé de porte avec la porte de silicium Anti-Parallèle de Perfectionnement-Mode de N-Canal de diode | ON Semiconductor |
| 823303 | MGW14N60ED | Transistor Bipolaire Isolé De Porte | ON Semiconductor |
| 823304 | MGW14N60ED-D | Porte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De Porte | ON Semiconductor |
| 823305 | MGW20N120 | Transistor Bipolaire Isolé De Porte | Motorola |
| 823306 | MGW20N120 | OBSOLETE - Insulated Gate Bipolar Transistor N-Canal | ON Semiconductor |
| 823307 | MGW20N120-D | Porte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De Porte | ON Semiconductor |
| 823308 | MGW20N60D | Transistor bipolaire isolé de porte avec la diode Anti-Parallèle | Motorola |
| 823309 | MGW21N60ED | Transistor Bipolaire Isolé De Porte | Motorola |
| 823310 | MGW21N60ED-D | Porte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De Porte | ON Semiconductor |
| 823311 | MGW30N60 | Transistor Bipolaire Isolé De Porte | Motorola |
| 823312 | MGY20N120D | Transistor bipolaire isolé de porte avec la diode Anti-Parallèle | Motorola |
| 823313 | MGY20N120D | Insulated Gate Bipolar Transistor avec diode anti-parallèle N-Channel | ON Semiconductor |
| 823314 | MGY20N120D-D | Transistor bipolaire isolé de porte avec la porte de silicium Anti-Parallèle de Perfectionnement-Mode de N-Canal de diode | ON Semiconductor |
| 823315 | MGY25N120 | Transistor Bipolaire Isolé De Porte | Motorola |
| 823316 | MGY25N120 | Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel | ON Semiconductor |
| 823317 | MGY25N120-D | Porte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De Porte | ON Semiconductor |
| 823318 | MGY25N120D | Transistor bipolaire isolé de porte avec la diode Anti-Parallèle | Motorola |
| 823319 | MGY25N120D | Insulated Gate Bipolar Transistor avec diode anti-parallèle N-Channel | ON Semiconductor |
| 823320 | MGY25N120D-D | Transistor bipolaire isolé de porte avec la porte de silicium Anti-Parallèle de Perfectionnement-Mode de N-Canal de diode | ON Semiconductor |
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