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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
892401MMFT3055VLMOSFET de puissance 1 Amp, 60 VoltsON Semiconductor
892402MMFT3055VL-DTransistor MOSFET De Puissance 1 Ampère, 60 Volts De N-Canal Sot-223ON Semiconductor
892403MMFT5P03HDFET MOYEN DE PUISSANCE DE TMOS 5,2 AMPÈRES 30 VOLTSMotorola
892404MMFT5P03HDTransistor MOSFET De Puissance 5 Ampères, 30 VoltsON Semiconductor
892405MMFT5P03HD-DTransistor MOSFET De Puissance 5 Ampères, 30 Volts De P-Canal Sot-223ON Semiconductor
892406MMFT5P03HDT1Transistor MOSFET De Puissance 5 Ampères, 30 VoltsON Semiconductor
892407MMFT5P03HDT3TRANSISTOR DU CHAMP FEECT DE TMOS P-CHANNELMotorola
892408MMFT5P03HDT3Transistor MOSFET De Puissance 5 Ampères, 30 VoltsON Semiconductor
892409MMFT6N03HDPUISSANCE DE TMOS 6,0 AMPÈRES 30 VOLTSMotorola
892410MMFT960Transistor MOSFET de puissance 300 mA, 60 voltsON Semiconductor
892411MMFT960T1FET MOYEN de la PUISSANCE TMOS 300 mA 60 VOLTSMotorola
892412MMFT960T1Transistor MOSFET de puissance 300 mA, 60 voltsON Semiconductor
892413MMFT960T1-DActionnez le transistor MOSFET 300 mA, 60 volts de N-Canal Sot-223ON Semiconductor
892414MMFT960T1GTransistor MOSFET de puissance 300 mA, 60 voltsON Semiconductor
892415MMG05N60DPOWERLUX IGBTMotorola
892416MMG05N60DOBSOLETE - IGBT N-Channel (0,5, 600V)ON Semiconductor
892417MMG05N60D-DPorte De Silicium Bipolaire Isolée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Transistor De PorteON Semiconductor
892418MMG1001R2MMG1001R2 870 mégahertz, 19 gains de DB, module de l'amplificateur 132-Channel intégré par CATVMotorola
892419MMG1001R2870 le gain 132–Channel GaAs CATV de DB de mégahertz 19 a intégré le module d'amplificateurFreescale (Motorola)



892420MMG2001R2MMG2001R2 870 MHz, 19,5 gain de DB, module de l'amplificateur 132-Channel intégré par CATVMotorola
892421MMG2001R2le gain 19,5 de DB de 870 mégahertz 132–Channel GaAs CATV a intégré le module d'amplificateurFreescale (Motorola)
892422MMG3002NT1Technologie Bipolaire De Transistor D'Hétérojonction (InGaP HBT)Motorola
892423MMJT350T1Transistors De Puissance BipolairesON Semiconductor
892424MMJT350T1-DSilicium Bipolaire Des Transistors De Puissance PNPON Semiconductor
892425MMJT9410Transistors De Puissance BipolairesMotorola
892426MMJT9410Transistor De Puissance Bipolaire de NPNON Semiconductor
892427MMJT9410-DSilicium Bipolaire Des Transistors De Puissance NPNON Semiconductor
892428MMJT9410T1Transistor De Puissance Bipolaire de NPNON Semiconductor
892429MMJT9435Transistors De Puissance BipolairesMotorola
892430MMJT9435Transistor De Puissance Bipolaire de PNPON Semiconductor
892431MMJT9435-DSilicium Bipolaire Des Transistors De Puissance PNPON Semiconductor
892432MMJT9435T1Transistor De Puissance Bipolaire de PNPON Semiconductor
892433MMJT9435T3Transistor De Puissance Bipolaire de PNPON Semiconductor
892434MMKPolyester métallisé selon CECC 30401-042, le CEI 60384-2, DIN 44122etc
892435MMK10Polyester métallisé selon CECC 30401-042, le CEI 60384-2, DIN 44122etc
892436MMK15Polyester métallisé selon CECC 30401-042, le CEI 60384-2, DIN 44122etc
892437MMK5Polyester métallisé selon CECC 30401-042, le CEI 60384-2, DIN 44122etc
892438MMK7.5Polyester métallisé selon CECC 30401-042, le CEI 60384-2, DIN 44122etc
892439MMKP 383Double métallisé, enfermé dans une boîte, pitch<! de 7,5-27,5mm -- --> de Pulse-AC/PrecisionVishay
892440MMKP 483Double métallisé, laqué, pitch<! de 7,5-27,5mm -- --> de Pulse-AC/PrecisionVishay
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