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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
912081MTD2005FPuissance ICs/Opération De Conducteurs Moteur De pas (Série de MTD): BipolaireShindengen
912082MTD2006Puissance ICs/Opération De Conducteurs Moteur De pas (Série de MTD): BipolaireShindengen
912083MTD2006FPuissance ICs/Opération De Conducteurs Moteur De pas (Série de MTD): BipolaireShindengen
912084MTD20N03HDLNIVEAU de LOGIQUE de FET de PUISSANCE de TMOS 20 AMPÈRES 30 VOLTS De RDS(on) = 0,035 OHMSMotorola
912085MTD20N03HDLMOSFET de puissance 20 ampères, 30 volts, DPAK niveau logique du N-CanalON Semiconductor
912086MTD20N03HDL-DTransistor MOSFET De Puissance 20 Ampères, 30 Volts, N-Canal De niveau DPAK De LogiqueON Semiconductor
912087MTD20N03HLFET à haute densité DPAK de puissance de HDTMOS E-FETpour le bâti extérieurMotorola
912088MTD20N06FET de PUISSANCE de TMOS 20 AMPÈRES 60 VOLTS De RDS(on) = 0,080 OHMSMotorola
912089MTD20N06HDFET de PUISSANCE de TMOS 20 AMPÈRES 60 VOLTS De RDS(on) = 0,045 OHMSMotorola
912090MTD20N06HDMOSFET de puissance 20 ampères, 60 VoltsON Semiconductor
912091MTD20N06HD-DTransistor MOSFET De Puissance 20 Ampères, 60 Volts De N-Canal DPAKON Semiconductor
912092MTD20N06HDLNIVEAU de LOGIQUE de FET de PUISSANCE de TMOS 20 AMPÈRES 60 VOLTS De RDS(on) = 0,045 OHMSMotorola
912093MTD20N06HDLMOSFET de puissance 20 ampères, 60 volts, de niveau logiqueON Semiconductor
912094MTD20N06HDL-DTransistor MOSFET De Puissance 20 Ampères, 60 Volts, N-Canal De niveau DPAK De LogiqueON Semiconductor
912095MTD20N06VFET de PUISSANCE de TMOS 20 AMPÈRES 60 VOLTS De RDS(on) = 0,080 OHMSMotorola
912096MTD20N06V20 A DPAK MOSFET canal N, VDSS 60ON Semiconductor
912097MTD20N06V-DTransistor à effet de champ de puissance de TMOS V DPAK pour la porte de silicium extérieure de Perfectionnement-Mode de N-Canal de bâtiON Semiconductor
912098MTD20P03NIVEAU de LOGIQUE de FET de PUISSANCE de TMOS 19 AMPÈRES 30 VOLTS De RDS(on) = 0,099 OHMSMotorola
912099MTD20P03HDLNIVEAU de LOGIQUE de FET de PUISSANCE de TMOS 19 AMPÈRES 30 VOLTS De RDS(on) = 0,099 OHMSMotorola



912100MTD20P03HDLTransistor MOSFET De Puissance 20 Ampères, 30 Volts, P-Canal De niveau DPAK De LogiqueON Semiconductor
912101MTD20P03HDL-DTransistor MOSFET De Puissance 20 Ampères, 30 Volts, P-Canal De niveau DPAK De LogiqueON Semiconductor
912102MTD20P03HDL1Transistor MOSFET De Puissance 20 Ampères, 30 Volts, P-Canal De niveau DPAK De LogiqueON Semiconductor
912103MTD20P03HDL1GTransistor MOSFET De Puissance 20 Ampères, 30 Volts, P-Canal De niveau DPAK De LogiqueON Semiconductor
912104MTD20P03HDLGTransistor MOSFET De Puissance 20 Ampères, 30 Volts, P-Canal De niveau DPAK De LogiqueON Semiconductor
912105MTD20P03HDLT4Transistor MOSFET De Puissance 20 Ampères, 30 Volts, P-Canal De niveau DPAK De LogiqueON Semiconductor
912106MTD20P03HDLT4GTransistor MOSFET De Puissance 20 Ampères, 30 Volts, P-Canal De niveau DPAK De LogiqueON Semiconductor
912107MTD20P06NIVEAU de LOGIQUE de FET de PUISSANCE de TMOS 15 AMPÈRES 60 VOLTS De RDS(on) = 175 MOHMMotorola
912108MTD20P06HDLNIVEAU de LOGIQUE de FET de PUISSANCE de TMOS 15 AMPÈRES 60 VOLTS De RDS(on) = 175 MOHMMotorola
912109MTD20P06HDLTransistor MOSFET De Puissance 20 Ampères, 60 Volts, Niveau De LogiqueON Semiconductor
912110MTD20P06HDL-DTransistor MOSFET De Puissance 20 Ampères, 60 Volts, P-Canal De niveau DPAK De LogiqueON Semiconductor
912111MTD20P06HDLGTransistor MOSFET De Puissance 20 Ampères, 60 Volts, Niveau De LogiqueON Semiconductor
912112MTD20P06HDLT4Transistor MOSFET De Puissance 20 Ampères, 60 Volts, Niveau De LogiqueON Semiconductor
912113MTD20P06HDLT4GTransistor MOSFET De Puissance 20 Ampères, 60 Volts, Niveau De LogiqueON Semiconductor
912114MTD214Ethernet codeur / décodeur 10 et l'émetteur-récepteur baseTMYSON TECHNOLOGY
912115MTD2955EFET de PUISSANCE de TMOS 12 AMPÈRES 60 VOLTS De RDS(on) = 0,3 OHMSMotorola
912116MTD2955ETransistor à effet de champ de puissance d'E-FET de TMOS DPAK pour le bâti extérieurON Semiconductor
912117MTD2955E-1TMOS FET de puissance. 60 V, 12 A, RDS (on) 0,3 Ohm.Motorola
912118MTD2955E-DTransistor à effet de champ de puissance d'E-FET de TMOS DPAK pour la porte de silicium extérieure de Perfectionnement-Mode de P-Canal de bâtiON Semiconductor
912119MTD2955ET4Transistor à effet de champ de puissance d'E-FET de TMOS DPAK pour le bâti extérieurON Semiconductor
912120MTD2955VFET de PUISSANCE de TMOS 12 AMPÈRES 60 VOLTS De RDS(on) = 0,230 OHMSMotorola
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