Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
912081 | MTD2005F | Puissance ICs/Opération De Conducteurs Moteur De pas (Série de MTD): Bipolaire | Shindengen |
912082 | MTD2006 | Puissance ICs/Opération De Conducteurs Moteur De pas (Série de MTD): Bipolaire | Shindengen |
912083 | MTD2006F | Puissance ICs/Opération De Conducteurs Moteur De pas (Série de MTD): Bipolaire | Shindengen |
912084 | MTD20N03HDL | NIVEAU de LOGIQUE de FET de PUISSANCE de TMOS 20 AMPÈRES 30 VOLTS De RDS(on) = 0,035 OHMS | Motorola |
912085 | MTD20N03HDL | MOSFET de puissance 20 ampères, 30 volts, DPAK niveau logique du N-Canal | ON Semiconductor |
912086 | MTD20N03HDL-D | Transistor MOSFET De Puissance 20 Ampères, 30 Volts, N-Canal De niveau DPAK De Logique | ON Semiconductor |
912087 | MTD20N03HL | FET à haute densité DPAK de puissance de HDTMOS E-FETpour le bâti extérieur | Motorola |
912088 | MTD20N06 | FET de PUISSANCE de TMOS 20 AMPÈRES 60 VOLTS De RDS(on) = 0,080 OHMS | Motorola |
912089 | MTD20N06HD | FET de PUISSANCE de TMOS 20 AMPÈRES 60 VOLTS De RDS(on) = 0,045 OHMS | Motorola |
912090 | MTD20N06HD | MOSFET de puissance 20 ampères, 60 Volts | ON Semiconductor |
912091 | MTD20N06HD-D | Transistor MOSFET De Puissance 20 Ampères, 60 Volts De N-Canal DPAK | ON Semiconductor |
912092 | MTD20N06HDL | NIVEAU de LOGIQUE de FET de PUISSANCE de TMOS 20 AMPÈRES 60 VOLTS De RDS(on) = 0,045 OHMS | Motorola |
912093 | MTD20N06HDL | MOSFET de puissance 20 ampères, 60 volts, de niveau logique | ON Semiconductor |
912094 | MTD20N06HDL-D | Transistor MOSFET De Puissance 20 Ampères, 60 Volts, N-Canal De niveau DPAK De Logique | ON Semiconductor |
912095 | MTD20N06V | FET de PUISSANCE de TMOS 20 AMPÈRES 60 VOLTS De RDS(on) = 0,080 OHMS | Motorola |
912096 | MTD20N06V | 20 A DPAK MOSFET canal N, VDSS 60 | ON Semiconductor |
912097 | MTD20N06V-D | Transistor à effet de champ de puissance de TMOS V DPAK pour la porte de silicium extérieure de Perfectionnement-Mode de N-Canal de bâti | ON Semiconductor |
912098 | MTD20P03 | NIVEAU de LOGIQUE de FET de PUISSANCE de TMOS 19 AMPÈRES 30 VOLTS De RDS(on) = 0,099 OHMS | Motorola |
912099 | MTD20P03HDL | NIVEAU de LOGIQUE de FET de PUISSANCE de TMOS 19 AMPÈRES 30 VOLTS De RDS(on) = 0,099 OHMS | Motorola |
912100 | MTD20P03HDL | Transistor MOSFET De Puissance 20 Ampères, 30 Volts, P-Canal De niveau DPAK De Logique | ON Semiconductor |
912101 | MTD20P03HDL-D | Transistor MOSFET De Puissance 20 Ampères, 30 Volts, P-Canal De niveau DPAK De Logique | ON Semiconductor |
912102 | MTD20P03HDL1 | Transistor MOSFET De Puissance 20 Ampères, 30 Volts, P-Canal De niveau DPAK De Logique | ON Semiconductor |
912103 | MTD20P03HDL1G | Transistor MOSFET De Puissance 20 Ampères, 30 Volts, P-Canal De niveau DPAK De Logique | ON Semiconductor |
912104 | MTD20P03HDLG | Transistor MOSFET De Puissance 20 Ampères, 30 Volts, P-Canal De niveau DPAK De Logique | ON Semiconductor |
912105 | MTD20P03HDLT4 | Transistor MOSFET De Puissance 20 Ampères, 30 Volts, P-Canal De niveau DPAK De Logique | ON Semiconductor |
912106 | MTD20P03HDLT4G | Transistor MOSFET De Puissance 20 Ampères, 30 Volts, P-Canal De niveau DPAK De Logique | ON Semiconductor |
912107 | MTD20P06 | NIVEAU de LOGIQUE de FET de PUISSANCE de TMOS 15 AMPÈRES 60 VOLTS De RDS(on) = 175 MOHM | Motorola |
912108 | MTD20P06HDL | NIVEAU de LOGIQUE de FET de PUISSANCE de TMOS 15 AMPÈRES 60 VOLTS De RDS(on) = 175 MOHM | Motorola |
912109 | MTD20P06HDL | Transistor MOSFET De Puissance 20 Ampères, 60 Volts, Niveau De Logique | ON Semiconductor |
912110 | MTD20P06HDL-D | Transistor MOSFET De Puissance 20 Ampères, 60 Volts, P-Canal De niveau DPAK De Logique | ON Semiconductor |
912111 | MTD20P06HDLG | Transistor MOSFET De Puissance 20 Ampères, 60 Volts, Niveau De Logique | ON Semiconductor |
912112 | MTD20P06HDLT4 | Transistor MOSFET De Puissance 20 Ampères, 60 Volts, Niveau De Logique | ON Semiconductor |
912113 | MTD20P06HDLT4G | Transistor MOSFET De Puissance 20 Ampères, 60 Volts, Niveau De Logique | ON Semiconductor |
912114 | MTD214 | Ethernet codeur / décodeur 10 et l'émetteur-récepteur baseT | MYSON TECHNOLOGY |
912115 | MTD2955E | FET de PUISSANCE de TMOS 12 AMPÈRES 60 VOLTS De RDS(on) = 0,3 OHMS | Motorola |
912116 | MTD2955E | Transistor à effet de champ de puissance d'E-FET de TMOS DPAK pour le bâti extérieur | ON Semiconductor |
912117 | MTD2955E-1 | TMOS FET de puissance. 60 V, 12 A, RDS (on) 0,3 Ohm. | Motorola |
912118 | MTD2955E-D | Transistor à effet de champ de puissance d'E-FET de TMOS DPAK pour la porte de silicium extérieure de Perfectionnement-Mode de P-Canal de bâti | ON Semiconductor |
912119 | MTD2955ET4 | Transistor à effet de champ de puissance d'E-FET de TMOS DPAK pour le bâti extérieur | ON Semiconductor |
912120 | MTD2955V | FET de PUISSANCE de TMOS 12 AMPÈRES 60 VOLTS De RDS(on) = 0,230 OHMS | Motorola |
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