| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 926801 | NDF08N50Z | MOSFET de puissance 500V 0,850 Ohm Simple N-Canal | ON Semiconductor |
| 926802 | NDF08N60Z | MOSFET de puissance 600V 0,95 Ohm Simple N-Canal | ON Semiconductor |
| 926803 | NDF10N60Z | MOSFET de puissance du N-Canal, 600 V, 0,75 O | ON Semiconductor |
| 926804 | NDF10N62Z | MOSFET de puissance 620V 0,750 Ohm Simple N-Canal | ON Semiconductor |
| 926805 | NDF11N50Z | MOSFET de puissance 500V 0,52 Ohm Simple N-Canal | ON Semiconductor |
| 926806 | NDF60N360U1 | Canal N MOSFET de puissance, 600 V, 360 mOhm | ON Semiconductor |
| 926807 | NDF653 | Diode Rapide De Rétablissement | Dynex Semiconductor |
| 926808 | NDF65310 | Diode Rapide De Rétablissement | Dynex Semiconductor |
| 926809 | NDF65312 | Diode Rapide De Rétablissement | Dynex Semiconductor |
| 926810 | NDF65314 | Diode Rapide De Rétablissement | Dynex Semiconductor |
| 926811 | NDF65316 | Diode Rapide De Rétablissement | Dynex Semiconductor |
| 926812 | NDF7-17P-2.54DSA | Connecteur De Type D'Entrée Du Fond De Lancement De 2.54mm | Hirose Electric |
| 926813 | NDF7000A | Transistor à effet de champ De Mode De Perfectionnement De N-Canal | National Semiconductor |
| 926814 | NDH8301N | Transistor à effet de champ Duel De Mode De Perfectionnement De N-Canal | National Semiconductor |
| 926815 | NDH8301N | N Dual-Channel Enhancement mode Field Effect Transistor [Non recommandé pour de nouvelles conceptions] | Fairchild Semiconductor |
| 926816 | NDH8302P | Transistors à effet de champ De Mode De Perfectionnement De P-Canal | National Semiconductor |
| 926817 | NDH8303N | Transistor à effet de champ Duel De Mode De Perfectionnement De N-Canal | National Semiconductor |
| 926818 | NDH8303N | Transistor à effet de champ Duel De Mode De Perfectionnement De N-Canal | National Semiconductor |
| 926819 | NDH8303N | N Dual-Channel Enhancement mode Field Effect Transistor [Non recommandé pour de nouvelles conceptions] | Fairchild Semiconductor |
| 926820 | NDH8304 | Transistor à effet de champ Duel De Mode De Perfectionnement De P-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 926821 | NDH8304P | Transistor à effet de champ Duel De Mode De Perfectionnement De P-Canal | National Semiconductor |
| 926822 | NDH8304P | Transistor à effet de champ Duel De Mode De Perfectionnement De P-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 926823 | NDH8304P_NL | Transistor à effet de champ Duel De Mode De Perfectionnement De P-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 926824 | NDH831N | Transistor à effet de champ De Mode De Perfectionnement De N-Canal | National Semiconductor |
| 926825 | NDH831N | Transistor à effet de champ De Mode De Perfectionnement De N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 926826 | NDH8320C | Transistor à effet de champ Duel De Mode De Perfectionnement De N Et De P-Canal | National Semiconductor |
| 926827 | NDH8320C | Double N & P-Channel Enhancement Field Mode EffectTransistor [Non recommandé pour de nouvelles conceptions] | Fairchild Semiconductor |
| 926828 | NDH8321C | Transistor à effet de champ Duel De Mode De Perfectionnement De N Et De P-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 926829 | NDH832P | Transistor à effet de champ De Mode De Perfectionnement De P-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 926830 | NDH833N | Transistor à effet de champ De Mode De Perfectionnement De N-Canal | National Semiconductor |
| 926831 | NDH833N | Longueur / hauteur 1,02 mm Largeur 4,55 mm Profondeur 4.06 mm Puissance dissipée 1,8 W Transistor polarité N Canal Courant, Id cont. 7.1 Une tension Vgs th max. 2,7 V Tension Vds max 20 V | Fairchild Semiconductor |
| 926832 | NDH834P | Transistor à effet de champ De Mode De Perfectionnement De P-Canal | National Semiconductor |
| 926833 | NDH834P | Transistor à effet de champ De Mode De Perfectionnement De P-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 926834 | NDH8436 | Transistors à effet de champ De Mode De Perfectionnement De N-Canal | National Semiconductor |
| 926835 | NDH8436 | Longueur / hauteur 1,02 mm Largeur 4,55 mm Profondeur 4.06 mm Puissance dissipée 1,8 W Transistor polarité N Canal Courant, Id cont. 5.8 A Tension Vgs th max. 4,5 V de tension Vds maximum 30 V | Fairchild Semiconductor |
| 926836 | NDH8447 | Transistor à effet de champ De Mode De Perfectionnement De P-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 926837 | NDH8501N | Transistor à effet de champ Duel De Mode De Perfectionnement De N-Canal | National Semiconductor |
| 926838 | NDH8502P | Transistor à effet de champ Duel De Mode De Perfectionnement De P-Canal | National Semiconductor |
| 926839 | NDH8502P | Transistor à effet de champ Duel De Mode De Perfectionnement De P-Canal | National Semiconductor |
| 926840 | NDH8502P | Transistor à effet de champ Duel De Mode De Perfectionnement De P-Canal | Fairchild Semiconductor |
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