Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
941161 | NX6306SI | 1310 nm diode laser InGaAsP MQW DFB pour 155 Mb / s et 622 Mb / s applications. | NEC |
941162 | NX6306SJ | 1310 nm diode laser InGaAsP MQW DFB pour 155 Mb / s et 622 Mb / s applications. | NEC |
941163 | NX6306SK | 1310 nm diode laser InGaAsP MQW DFB pour 155 Mb / s et 622 Mb / s applications. | NEC |
941164 | NX6307GH | 1310 nm diode laser InGaAsP MQW DFB pour 2,5 demande Gb / s. | NEC |
941165 | NX6307GI | 1310 nm diode laser InGaAsP MQW DFB pour 2,5 demande Gb / s. | NEC |
941166 | NX6307GJ | 1310 nm diode laser InGaAsP MQW DFB pour 2,5 demande Gb / s. | NEC |
941167 | NX6307GK | 1310 nm diode laser InGaAsP MQW DFB pour 2,5 demande Gb / s. | NEC |
941168 | NX6307SH | 1310 nm diode laser InGaAsP MQW DFB pour 2,5 demande Gb / s. | NEC |
941169 | NX6307SI | 1310 nm diode laser InGaAsP MQW DFB pour 2,5 demande Gb / s. | NEC |
941170 | NX6307SJ | 1310 nm diode laser InGaAsP MQW DFB pour 2,5 demande Gb / s. | NEC |
941171 | NX6307SK | 1310 nm diode laser InGaAsP MQW DFB pour 2,5 demande Gb / s. | NEC |
941172 | NX6504GH | 1550 nm diode laser InGaAsP MQW DFB pour des communications par fibres optiques. | NEC |
941173 | NX6504GI | 1550 nm diode laser InGaAsP MQW DFB pour des communications par fibres optiques. | NEC |
941174 | NX6504GJ | 1550 nm diode laser InGaAsP MQW DFB pour des communications par fibres optiques. | NEC |
941175 | NX6504GK | 1550 nm diode laser InGaAsP MQW DFB pour des communications par fibres optiques. | NEC |
941176 | NX6504SH | 1550 nm diode laser InGaAsP MQW DFB pour des communications par fibres optiques. | NEC |
941177 | NX6504SI | 1550 nm diode laser InGaAsP MQW DFB pour des communications par fibres optiques. | NEC |
941178 | NX6504SJ | 1550 nm diode laser InGaAsP MQW DFB pour des communications par fibres optiques. | NEC |
941179 | NX6504SK | 1550 nm diode laser InGaAsP MQW DFB pour des communications par fibres optiques. | NEC |
941180 | NX6508GH47 | Diode laser InGaAsP MQW-DFB pour 2,5 applications Gb / s, CWDM. Longueur d'onde 1470 nm (typ). | NEC |
941181 | NX6508GH49 | Diode laser InGaAsP MQW-DFB pour 2,5 applications Gb / s, CWDM. Longueur d'onde 1490 nm (typ). | NEC |
941182 | NX6508GH51 | Diode laser InGaAsP MQW-DFB pour 2,5 applications Gb / s, CWDM. Longueur d'onde 1510 nm (typ). | NEC |
941183 | NX6508GH53 | Diode laser InGaAsP MQW-DFB pour 2,5 applications Gb / s, CWDM. Longueur d'onde de 1530 nm (typ). | NEC |
941184 | NX6508GH55 | Diode laser InGaAsP MQW-DFB pour 2,5 applications Gb / s, CWDM. Longueur d'onde de 1550 nm (typ). | NEC |
941185 | NX6508GH57 | Diode laser InGaAsP MQW-DFB pour 2,5 applications Gb / s, CWDM. Longueur d'onde 1570nm (typ). | NEC |
941186 | NX6508GH59 | Diode laser InGaAsP MQW-DFB pour 2,5 applications Gb / s, CWDM. Longueur d'onde 1590 nm (typ). | NEC |
941187 | NX6508GH61 | Diode laser InGaAsP MQW-DFB pour 2,5 applications Gb / s, CWDM. Longueur d'onde 1610 nm (typ). | NEC |
941188 | NX6508GK47 | Diode laser InGaAsP MQW-DFB pour 2,5 applications Gb / s, CWDM. Longueur d'onde 1470 nm (typ). | NEC |
941189 | NX6508GK49 | Diode laser InGaAsP MQW-DFB pour 2,5 applications Gb / s, CWDM. Longueur d'onde 1490 nm (typ). | NEC |
941190 | NX6508GK51 | Diode laser InGaAsP MQW-DFB pour 2,5 applications Gb / s, CWDM. Longueur d'onde 1510 nm (typ). | NEC |
941191 | NX6508GK53 | Diode laser InGaAsP MQW-DFB pour 2,5 applications Gb / s, CWDM. Longueur d'onde de 1530 nm (typ). | NEC |
941192 | NX6508GK55 | Diode laser InGaAsP MQW-DFB pour 2,5 applications Gb / s, CWDM. Longueur d'onde de 1550 nm (typ). | NEC |
941193 | NX6508GK57 | Diode laser InGaAsP MQW-DFB pour 2,5 applications Gb / s, CWDM. Longueur d'onde 1570nm (typ). | NEC |
941194 | NX6508GK59 | Diode laser InGaAsP MQW-DFB pour 2,5 applications Gb / s, CWDM. Longueur d'onde 1590 nm (typ). | NEC |
941195 | NX6508GK61 | Diode laser InGaAsP MQW-DFB pour 2,5 applications Gb / s, CWDM. Longueur d'onde 1610 nm (typ). | NEC |
941196 | NX6509GH | 1550 nm diode laser InGaAsP MQW-DFB pour les longues distances 2.5 Les applications de Gb /. | NEC |
941197 | NX6509GK | 1550 nm diode laser InGaAsP MQW-DFB pour les longues distances 2.5 Les applications de Gb /. | NEC |
941198 | NX7002AK | 60 V, N-canal Trench MOSFET unique | NXP Semiconductors |
941199 | NX7002AKS | 60 V, double canal N MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
941200 | NX7002AKW | 60 V, N-canal Trench MOSFET unique | NXP Semiconductors |
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