| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 986441 | PESD5V0X2UMB | Faible capacité ultra diode de protection ESD unidirectionnel double | NXP Semiconductors |
| 986442 | PESD5V2S18U | Rangée de protection d'ESD | Philips |
| 986443 | PESD5V2S18U | PESD5V2S18U; Rangée de protection d'cEsd | Philips |
| 986444 | PESD5V2S2UT | Série de PESDxSÙT; Doubles diodes de protection d'cEsd en paquet SOT23 | Philips |
| 986445 | PESD5V2S2UT | Double diodes de protection ESD en boîtier SOT23 | NXP Semiconductors |
| 986446 | PESD5Z12 | Faible capacité des diodes de protection ESD unidirectionnel | NXP Semiconductors |
| 986447 | PESD5Z2.5 | Faible capacité des diodes de protection ESD unidirectionnel | NXP Semiconductors |
| 986448 | PESD5Z3.3 | Faible capacité des diodes de protection ESD unidirectionnel | NXP Semiconductors |
| 986449 | PESD5Z5.0 | Faible capacité des diodes de protection ESD unidirectionnel | NXP Semiconductors |
| 986450 | PESD5Z6.0 | Faible capacité des diodes de protection ESD unidirectionnel | NXP Semiconductors |
| 986451 | PESD5Z7.0 | Faible capacité des diodes de protection ESD unidirectionnel | NXP Semiconductors |
| 986452 | PESD6V0L2UU | Faible capacité des diodes de protection ESD unidirectionnel | NXP Semiconductors |
| 986453 | PESD9V0V4UK | Tableaux très faible capacité quadruple unidirectionnel de diodes de protection ESD | NXP Semiconductors |
| 986454 | PESD9X5.0L | Unidirectionnels diodes de protection ESD | NXP Semiconductors |
| 986455 | PESD9X7.0L | Unidirectionnels diodes de protection ESD | NXP Semiconductors |
| 986456 | PESDXL2UM | Basse diode de protection du double ESD de capacité | Philips |
| 986457 | PESDXL4UG | Rangée quadruple de diode de protection de la basse capacité ESD en paquet SOT353 | Philips |
| 986458 | PESDXL4UW | Rangée quadruple de protection de la basse capacité ESD | Philips |
| 986459 | PESDXS2UAT | Doubles diodes de protection d'cEsd en paquet SOT23 | Philips |
| 986460 | PESDXS2UQ | Doubles diodes de protection d'ESD en paquet SOT663 | Philips |
| 986461 | PET-1823 | TRANSFORMATEUR DE MODEM | Micro Electronics |
| 986462 | PET-1825 | TRANSFORMATEUR DE MODEM | Micro Electronics |
| 986463 | PET-1826 | TRANSFORMATEUR DE MODEM | Micro Electronics |
| 986464 | PET-1901 | TRANSFORMATEUR DE MODEM | Micro Electronics |
| 986465 | PET-1902 | TRANSFORMATEUR DE MODEM | Micro Electronics |
| 986466 | PET-1903 | TRANSFORMATEUR DE MODEM | Micro Electronics |
| 986467 | PEZ140 | Plaquez les condensateurs avec la protection d'humidité - ceramic<! de la classe 1 -- --> de HT de rf | Vishay |
| 986468 | PF00105A | Module d'amplificateur de puissance de FET de MOS pour le téléphone maniable d'ampères | Hitachi Semiconductor |
| 986469 | PF0030 | Amplificateur De Puissance de FET de MOS | Hitachi Semiconductor |
| 986470 | PF0031 | V (dd): 17V; I (jj): 3A; 20mW; MOSFET module d'amplificateur de puissance pour téléphone mobile | Hitachi Semiconductor |
| 986471 | PF0032 | Amplificateur De Puissance de FET de MOS | Hitachi Semiconductor |
| 986472 | PF0121 | Module d'amplificateur de puissance de FET de MOS pour le mobilophone de GM/M | Hitachi Semiconductor |
| 986473 | PF0140 | MODULE D'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE DE TRANSISTOR MOSFETPOUR LE TÉLÉPHONE MANIABLE DE GM/M | Hitachi Semiconductor |
| 986474 | PF01410 | Module d'amplificateur de puissance de FET de MOS pour le téléphone maniable de GM/M | Hitachi Semiconductor |
| 986475 | PF01410A | Module d'amplificateur de puissance de FET de MOS pour le téléphone maniable de GM/M | Hitachi Semiconductor |
| 986476 | PF01411 | Module d'amplificateur de puissance de FET de MOS pour le téléphone E-GM/M maniable | Hitachi Semiconductor |
| 986477 | PF01411A | Module d'amplificateur de puissance de FET de MOS pour le téléphone E-GM/M maniable | Hitachi Semiconductor |
| 986478 | PF01411B | Module d'amplificateur de puissance de FET de MOS pour le téléphone E-GM/M maniable | Hitachi Semiconductor |
| 986479 | PF01412 | Module d'amplificateur de puissance de FET de MOS pour le téléphone E-GM/M maniable | Hitachi Semiconductor |
| 986480 | PF01412A | Module d'amplificateur de puissance de FET de MOS pour le téléphone E-GM/M maniable | Hitachi Semiconductor |
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