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2N4123 construit près: |
Transistor à usage général. Tension collecteur-émetteur: 30V = VCEO. Tension collecteur-base: 40V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | Téléchargement 2N4123 datasheet de USHA India LTD |
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Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: 2N4124, 2N4125, 2N4126, |
Téléchargement 2N4123 datasheet de Central Semiconductor |
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Silicium Tout usage De Transistors(NPN) | Téléchargement 2N4123 datasheet de ON Semiconductor |
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TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN | Téléchargement 2N4123 datasheet de Samsung Electronic |
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TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN | Téléchargement 2N4123 datasheet de Micro Electronics |
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Planar épitaxiale passive transistor NPN silicium. 30V, 200mA. | Téléchargement 2N4123 datasheet de General Electric Solid State |
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Transistor Tout usage 625mW De Silicium de NPN | Téléchargement 2N4123 datasheet de Micro Commercial Components |
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Amplificateur D'Usage universel de NPN | Téléchargement 2N4123 datasheet de Fairchild Semiconductor |
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Ic = 200mA, Vce = transistor de 1.0V | Téléchargement 2N4123 datasheet de MCC |
pdf 749 kb |
2N4119A | Vue 2N4123 à notre catalogue | 2N4123-D |