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2N6761 construit près: |
Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/4.Ä/450V/500v D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: 2N6762, |
Téléchargement 2N6761 datasheet de Fairchild Semiconductor |
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N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 450V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 4.0A. | Téléchargement 2N6761 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 118 kb |
2N6760 | Vue 2N6761 à notre catalogue | 2N6762 |