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2N6781 construit près: |
60 V, 06 ohms, à canal N à enrichissement D-MOS FET de puissance D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: 2N6782, |
Téléchargement 2N6781 datasheet de Topaz Semiconductor |
pdf 105 kb |
2N6770 | Vue 2N6781 à notre catalogue | 2N6782 |