|
| Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
|
Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
BU406H construit près: |
400 V, A 7, le transistor NPN épitaxiale de silicium D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: BU406, BU408, |
Téléchargement BU406H datasheet de Samsung Electronic |
pdf 178 kb |
|
Épitaxiale transistor NPN de silicium. Commutation à haute tension pour l'étage de sortie de déviation horizontale. Collecteur-base tension 400V. Tension collecteur-émetteur 200V. Tension émetteur-base 6V. | Téléchargement BU406H datasheet de Wing Shing Computer Components |
pdf 29 kb |
|
Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Téléchargement BU406H datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 52 kb |
BU406D | Vue BU406H à notre catalogue | BU406TU |