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GES5307 construit près: |
Planaire épitaxiale de silicium passivé transistor NPN Darlington. 40V, 300mA. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: GES5308, 2N5308, 2N5307, 2N5308A, GES5308A, |
Téléchargement GES5307 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 136 kb |
GES5306A | Vue GES5307 à notre catalogue | GES5308 |