|
| Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
|
Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF122 construit près: |
N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Vidange continue de 28A courant. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF120, IRF123, IRF121, |
Téléchargement IRF122 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 166 kb |
|
8.0A et 9.À/80V et 100V/0,27 et 0,36 ohms/transistors MOSFET de N-Canal/puissance | Téléchargement IRF122 datasheet de Intersil |
pdf 72 kb |
|
TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Téléchargement IRF122 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 218 kb |
|
Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/11/60-100 V D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF120-123, IRF523, IRF522, IRF521, |
Téléchargement IRF122 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 171 kb |
IRF121 | Vue IRF122 à notre catalogue | IRF123 |