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| Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF221 construit près: |
4.0A et 5.0A/150V et 200V/transistors MOSFET de puissance 0,8 et 1,2 ohms/N-Canal D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF223, IRF222, IRF220, |
Téléchargement IRF221 datasheet de Intersil |
pdf 73 kb |
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Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/7A/150-200V D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF622, IRF621, IRF220-223, IRF623, |
Téléchargement IRF221 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 170 kb |
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N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 5.0A. | Téléchargement IRF221 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 166 kb |
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TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Téléchargement IRF221 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 214 kb |
IRF2204S | Vue IRF221 à notre catalogue | IRF222 |