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IRF510 construit près: |
Puissance MOSFET canal N, 100V, 5.6A D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF511, IRF512, IRF513, |
Téléchargement IRF510 datasheet de Harris Semiconductor |
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5.Ã, 100V, 0,540 Ohms, Transistor MOSFET De Puissance De N-Canal | Téléchargement IRF510 datasheet de Fairchild Semiconductor |
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100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | Téléchargement IRF510 datasheet de International Rectifier |
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N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 4.0A. | Téléchargement IRF510 datasheet de General Electric Solid State |
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FETS Verticaux De Puissance Du Perfectionnement-Mode DMOS De N-Canal | Téléchargement IRF510 datasheet de Supertex Inc |
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Transistor MOSFET De Puissance De 5.Ã/100V/0,540 Ohms/N-Canal | Téléchargement IRF510 datasheet de Intersil |
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IRF500C10RJ | Vue IRF510 à notre catalogue | IRF510-513 |