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| | Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
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| IRF730 construit près: | 
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 | 400V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF730PBF, |
Téléchargement IRF730 datasheet de International Rectifier |
pdf 184 kb |
 | N - la MANCHE 400V - 0,75 W - 5.Ä - Transistor MOSFET De To-220 PowerMESH | Téléchargement IRF730 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
pdf 98 kb |
 | Énergie d'avalanche de transistor de PowerMOS évaluée | Téléchargement IRF730 datasheet de Philips |
pdf 63 kb |
 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 400V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 5.5A. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF733, IRF732, IRF731, |
Téléchargement IRF730 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 166 kb |
 | N-canal 400V - 0,75 OHMS - 5.Ä - Transistor MOSFET De To-220 POWERMESH II | Téléchargement IRF730 datasheet de ST Microelectronics |
pdf 250 kb |
 | Transistor MOSFET De Puissance De 5.Ä/400V/1,000 Ohms/N-Canal | Téléchargement IRF730 datasheet de Intersil |
pdf 59 kb |
 | 5.Ä, 400V, 1,000 Ohms, Transistor MOSFET De Puissance De N-Canal | Téléchargement IRF730 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 96 kb |
| IRF7241TR | Vue IRF730 à notre catalogue | IRF7301 |