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| IRFF131 construit près: | 
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 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Vidange continue de 8.0A courant. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRFF133, IRFF132, IRFF130, |
Téléchargement IRFF131 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 167 kb |
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