 |
|
| | Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
|
| Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |  |  |
| IRHNB4160 construit près: | 
|
 | LE RAYONNEMENT A DURCI LE BÂTI DE SURFACE DE TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE (SMD-3) D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRHNB3160, |
Téléchargement IRHNB4160 datasheet de International Rectifier |
pdf 104 kb |
| IRHNB3160 | Vue IRHNB4160 à notre catalogue | IRHNB7064 |