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K4E660812B construit près: |
RAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées dehors D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: K4E640812B, |
Téléchargement K4E660812B datasheet de Samsung Electronic |
pdf 420 kb |
K4E660811D, K4E640811D | Vue K4E660812B à notre catalogue | K4E660812B-JC-45 |