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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
K4F151612D-J construit près: |
1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 1K. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: K4F151611D-J, K4F151611D-T, K4F151612D-T, K4F171611D-J, K4F171611D-T, |
Téléchargement K4F151612D-J datasheet de Samsung Electronic |
pdf 527 kb |
K4F151612D | Vue K4F151612D-J à notre catalogue | K4F151612D-T |