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K4F160411D-F construit près: |
4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 2K cycle de rafraîchissement. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: K4F160412D-F, K4F160412D-B, K4F160411D-B, K4F170411D-B, K4F170411D-F, |
Téléchargement K4F160411D-F datasheet de Samsung Electronic |
pdf 227 kb |
K4F160411D-B | Vue K4F160411D-F à notre catalogue | K4F160412C-B50 |