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| | Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
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| Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |  |  |
| MJD122-1 construit près: | 
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 | TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: MJD122T4, MJD127-1, MJD127T4, |
Téléchargement MJD122-1 datasheet de ST Microelectronics |
pdf 304 kb |
 | Transistor Darlington NPN pour un gain élevé de courant continu 100V, 5A | Téléchargement MJD122-1 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
pdf 96 kb |
 | Transistor NPN pour un gain élevé de courant continu 100V, 8A | Téléchargement MJD122-1 datasheet de ON Semiconductor |
pdf 141 kb |
 | Transistor NPN, pour amplificateur à usage général et les applications à faible vitesse de commutation, 100V, 8A | Téléchargement MJD122-1 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 141 kb |
 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM 8 AMPÈRES 100 VOLTS 20 WATTS D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: MJD122, MJD127, |
Téléchargement MJD122-1 datasheet de Motorola |
pdf 290 kb |
| MJD122 | Vue MJD122-1 à notre catalogue | MJD122-D |