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| MTD1N80E-D construit près: | 
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 | Transistor à effet de champ de puissance d'E-FET de TMOS DPAK pour la porte de silicium extérieure de Perfectionnement-Mode de N-Canal de bâti | Téléchargement MTD1N80E-D datasheet de ON Semiconductor |
PDF 275 kb |
| MTD1N80E | Vue MTD1N80E-D à notre catalogue | MTD1P40E |