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PDTC123JT construit près: |
NPN transistors résistance équipée; R1 = 2,2 kQ, R2 = 47 kQ D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: PDTC123JM, PDTC123JU, PDTC123JE, |
Téléchargement PDTC123JT datasheet de NXP Semiconductors |
pdf 716 kb |
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Transistor résistance-équipé par NPN | Téléchargement PDTC123JT datasheet de Philips |
pdf 60 kb |
PDTC123JS | Vue PDTC123JT à notre catalogue | PDTC123JU |