|
| Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
|
Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
SD1112HD construit près: |
200 V, 7 ohms, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: SD1113BD, SD1102BD, SD1113HD, SD1113DD, SD1113CHP, |
Téléchargement SD1112HD datasheet de Topaz Semiconductor |
pdf 108 kb |
SD1112DD | Vue SD1112HD à notre catalogue | SD1113BD |