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| SD1122BD construit près: | 
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 | 200 V, de 10 ohms, à canal N à mode d'enrichissement à haute tension D-MOS FET de puissance D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: SD1122CHP, |
Téléchargement SD1122BD datasheet de Topaz Semiconductor |
pdf 80 kb |
| SD1117N | Vue SD1122BD à notre catalogue | SD1122CHP |