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| STB28N60M2 construit près: | 
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 | N-canal 600 V, 0,135 Ohm typ., 22 A MDmesh II Plus (TM) faible puissance MOSFET Qg en conditionnement D2PAK D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: STP28N60M2, STW28N60M2, |
Téléchargement STB28N60M2 datasheet de ST Microelectronics |
pdf 1089 kb |
| STB27NM60ND | Vue STB28N60M2 à notre catalogue | STB28NM50N |